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1.
2.
多模光纤不同模式布里渊散射参数 总被引:1,自引:0,他引:1
基于射线光学和波动光学理论分析了多模光纤的布里渊散射特性,提出了确定布里渊散射角取值范围的方法;推导了阶跃型和渐变型多模光纤不同模式群布里渊频移、线宽、散射谱和散射功率的表达式.结果表明,阶跃型和渐变型多模光纤布里渊散射角的最大取值范围为全反射临界角的2倍到π;阶跃型光纤的布里渊频移、线宽、归一化峰值增益和散射功率随模式群的变化比渐变型光纤缓慢,且随着模式群编号的增加,阶跃型光纤的上述参量分别在11.084~10.932GHz、21.760~21.168 MHz、1~0.933和1.990×10-9~1.857×10-9 W范围内呈曲线下降;渐变型光纤的上述参量分别在11.064~10.969GHz、21.683~21.314MHz、1~0.957和2.052×10-9~1.965×10-9 W范围内呈直线下降. 相似文献
3.
定向凝固技术是制备太阳能级多晶硅的主要制备技术.在该技术路线之中,优化多晶铸锭炉的热场结构和控制硅熔体的对流形态是获得高品质多晶硅的有效途径之一.本文设计了三种热场保温层,通过分析不同保温层下坩埚内硅熔体的热场、流场、固液界面、氧含量等的变化,确定了优化的保温层结构.研究发现,在传统固化碳毡保温层中引入石墨层可以使多晶炉内形成两个“热源”,提高多晶炉的热效率,使其能耗降低了38.5;;在洛伦兹力的作用下硅熔体中仅存在一个上下贯通的涡流,有利于硅中杂质原子的挥发.同时,添加石墨保温层后固液界面的形状由“W”状转变为凹状,其上的氧含量有所降低,并且V/Gn值在整个固液界面范围内均大于临界值,可以有效抑制氧沉淀.可见,在感应加热多晶硅生长系统中,采用固化碳毡+石墨保温层时,有利于降低多晶硅的生产成本并提高多晶硅的品质. 相似文献
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5.
广义Pareto分布能很好地拟合数据分布的尾部,广泛地应用于金融市场的风险管理、风险经营问题的研究。利用概率加权矩法得到了三参数广义Pareto模型的参数估计式,给出了阈值的选取方法和风险值的计算公式;利用计算机模拟,计算得出了KS检验统计量的临界值。 相似文献
6.
以L-组氨酸为模板仿生合成针状纳米碳酸钙 总被引:3,自引:0,他引:3
依据仿生合成原理, 以L-组氨酸为有机基质, 无水氯化钙和无水碳酸钠为原料, 通过简单的复分解反应制备出了平均直径约为80 nm, 长径比约为12∶1的针状纳米碳酸钙晶体. 利用高分辨扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱议(FTIR)对产物进行了表征, 结果表明, 在不添加有机基质的溶液中得到立方状微米级的碳酸钙晶体, 添加L-组氨酸后得到针状纳米级的碳酸钙晶体, 并对L-组氨酸在仿生合成针状纳米碳酸钙过程中的作用机理进行了初步探讨. 相似文献
7.
简单方法制备羟基磷灰石中空微球 总被引:1,自引:0,他引:1
无需添加任何有机物和金属离子, 以易得的中空球形碳酸钙(CaCO3)与磷酸氢二钠(Na2HPO4)作为反应物在常压下制备出羟基磷灰石中空微球. 通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、扫描电子显微镜(SEM), X射线粉末衍射(XRD)等手段对制备的羟基磷灰石中空微球的结构、组成和形貌进行了表征, 考察了不同反应温度对中空球形貌的影响. 实验结果表明, 所制备的羟基磷灰石微球是由短针状的纳米粒子组成的, 直径为2-4 μm. 对反应机理进行了初步探讨. 相似文献
8.
Structural,Magnetic and Magnetocaloric Properties of La-deficient La0.77-xSrxCa0.2MnO2 Perovskites 下载免费PDF全文
La-deficient La0.77-x Ca0.2SrxMnO3 (0 〈 x 〈 0.1) polycrystalline samples are synthesized using the sol-gel technique. The crystal structures of all the samples are single orthorhombic phase with Pbnm space group. Rietveld analysis of x-ray diffraction patterns shows that the Mn-O-Mn bond angle θUn-O-Mn increases whereas the Mn-O bond length dMn--o decreases monotonically with increasing Sr^2+ content, which results in a rich overlap between Mn 3d and O2p orbitals and leads to a systematic increase of the Curie temperature in this compound. It is found that the magnetic entropy change has a maximum at x = 0.06 in La^3+-deficient La0.77-xCa0.2SrxMnO3. This may result from competition between the super-exchange interactions (Mn 4+-O2--Mn4+) and double-exchange interactions (Mn^3+-O^2- -Mn^4+) originating from the appearance of superfluous Mn^4+ ions by substitution of Sr^2+ for La^3+ in this series. Large magnetic entropy changes of 2.32 and 1.83Jkg^-1K^-1 in the x = 0.06 and x = 0.1 samples at their Tcs of 271 K and 303K upon a low magnetic field (10kOe) make these materials promising candidates at near room temperature. 相似文献
9.
Light-shift induced by two unbalanced spontaneous decay rates in EIT (CPT) spectroscopies under Ramsey pulse excitation 下载免费PDF全文
Xiaoyan Liu 《中国物理 B》2021,30(8):83203-083203
Light shift is important and inevitably affects the long-term stability of an atomic clock. In this work, considering two unbalanced branches of the spontaneous decay rate in a three-level system, we studied the frequency shifts of electromagnetically induced transparency (EIT) and coherent population trapping (CPT) clocks operating under the pulse sequence regime by numerically solving the Liouville density matrix equations. The results show that the frequency shifts are larger when the two branches of spontaneous emission rate are not equal compared to the equal case. In addition, in EIT-Ramsey, the effect of the unbalanced branches of the spontaneous decay rate and relaxations of low-energy states on the frequency shift is greater than that of Rabi frequency. In CPT-Ramsey, the relaxations of low-energy states play a dominant role in frequency shift. 相似文献
10.
Role of Oxygen Vacancy Arrangement on the Formation of a Conductive Filament in a ZnO Thin Film 下载免费PDF全文
We perform first-principles calculations for ZnO thin films with oxygen vacancy defects. The densities of states, partial atomic densities of states, charge density differences and atomic populations are presented. We show that the SET process, i.e., from a high resistive state to a low resistive state, is attributable to the aggregation and regular arrangement of the oxygen vacancies, which causes the formation of conductive filaments and leads to the low resistive state of the system. 相似文献