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1.
采用密度泛函理论研究Mn原子单掺杂和双掺杂(ZnSe)12团簇的结构、电子性质和磁性质.考虑三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂.比较掺杂团簇的稳定性.结果表明:无论是单掺杂还是双掺杂,替代掺杂团簇是最稳定结构.在结构优化的基础上对掺杂团簇进行磁性计算.团簇磁矩主要来自Mn原子3d态的贡献,4s和4p态贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Zn和Se原子上产生少量自旋.研究发现:内双掺杂团簇是铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值.  相似文献   
2.
本文采用密度泛函理论研究了V原子单掺杂和双掺杂(ZnS)12团簇的几何结构和能量稳定性.我们考虑了三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂.单掺杂时,替代掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,外掺杂团簇是最稳定结构.团簇磁矩主要来自V-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Zn和S原子上也产生少量自旋.结果显示V原子间的磁性耦合是短程相互作用.相邻V原子之间的磁性耦合由直接的V-V反铁磁耦合和两个V和S原子之间通过p-d杂化产生的铁磁耦合这两中相互作用的竞争来决定.  相似文献   
3.
采用第一性原理密度泛函理论系统研究Cr原子单掺杂和双掺杂单壁ZnS纳米管的结构和磁性质.研究发现掺杂纳米管的形成能比纯纳米管的形成能低,说明掺杂过程是放热的.单掺杂纳米管的总磁矩主要来自Cr原子3d态的贡献.结果表明Cr原子掺杂单壁ZnS纳米管趋向于铁磁态.但铁磁态和反铁磁态的能量差仅为0036eV.为获得室温铁磁性,我们用一个C原子替代掺杂体系中的一个S原子.计算发现铁磁态的能量比反铁磁态低0497eV.表明此掺杂体系可能获得室温铁磁性.  相似文献   
4.
本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Ni原子单掺杂和双掺杂II-VI族(ZnTe)12和(ZnSe)12团簇的稳定性和磁性质。研究发现,Ni掺杂增强了团簇的稳定性。团簇磁矩主要来自Ni-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Te、Se原子上也产生少量自旋。Ni原子之间的磁性耦合是短程相互作用。最重要的是,两种双掺杂团簇都存在铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值。  相似文献   
5.
电子技术基础课是高等学校理科类学生广泛选修的课程,实验课不少,但缺乏配套的课堂实验演示仪。文章主要是提出设计出实用性较强又简单便携的电子技术基础课堂演示实验用的演示仪,阐述了设计的原则,并给出其中一个演示仪电路设计的实例。  相似文献   
6.
本文采用第一性原理密度泛函理论系统的研究了Ni原子单掺杂和双掺杂Ⅱ- Ⅵ族(ZnTe)_(12)和(ZnSe)_(12)团簇的稳定性和磁性质.研究发现,Ni掺杂增强了团簇的稳定性.团簇磁矩主要来自Ni-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩.由于轨道杂化,相邻的Te、Se原子上也产生少量自旋.Ni原子之间的磁性耦合是短程相互作用.最重要的是,两种双掺杂团簇都存在铁磁耦合,在纳米量子器件领域有潜在的应用价值.  相似文献   
7.
本文采用密度泛函理论研究了V原子单掺杂和双掺杂(ZnS)12团簇的几何结构和能量稳定性。我们考虑了三种掺杂方式:替代掺杂,外掺杂和内掺杂。单掺杂时,替代掺杂团簇是最稳定结构,而对于双掺杂,外掺杂团簇是最稳定结构。团簇磁矩主要来自V-3d态的贡献,4s和4p态也贡献了一小部分磁矩。由于轨道杂化,相邻的Zn和S原子上也产生少量自旋。结果显示V原子间的磁性耦合是短程相互作用。相邻V原子之间的磁性耦合由直接的V-V反铁磁耦合和两个V和S原子之间通过p-d杂化产生的铁磁耦合这两中相互作用的竞争来决定。  相似文献   
8.
本文采用第一性原理方法系统研究了Mn原子单掺杂和双掺杂ZnO纳米线的稳定性和磁性质.所有掺杂纳米线的束缚能都为负值,表明掺杂增强了纳米线的稳定性.表面掺杂纳米线显示了直接带隙半导体特性,而中间掺杂纳米线显示了间接带隙半导体特性.纳米线的总磁矩主要来源于Mn原子3d轨道的贡献.由于杂化,相邻的O原子和Zn原子也产生了少量自旋.在超原胞内,Mn原子和O原子磁矩平行排列,表明它们之间是铁磁耦合.  相似文献   
9.
在度量两个集合时,用相似性测度来表示两集合的相似性程度.在度量区间直觉模糊集的相似性程度时,现有的很多方法都没有把犹豫度考虑在内.针对这个问题,根据区间直觉模糊集理论,在Szmidt的区间直觉模糊集的海明距离、规范化海明距离、欧几里得距离、规范化欧几里得距离的基础上.定义了基于Szmidt的区间直觉模糊集的加权海明距离和基于Szmidt的区间直觉模糊集的加权欧几里得距离,分别包含了隶属度,非隶属度和犹豫度,并给出了定理和证明.然后定义了两种区间直觉模糊集的相似性测度.最后将这两种相似性测度应用到模式识别领域.  相似文献   
10.
用第一性原理方法系统研究氧化锌/硫化锌超晶格纳米线和核壳结构纳米线的结构和电子性质.结构优化后,氧化锌/硫化锌异质结构纳米线和纯氧化锌或硫化锌纳米线结构相似.对于两种异质结构纳米线,能带结构显示他们都是直接带隙半导体.对于氧化锌/硫化锌超晶格纳米线,随着径向厚度的增加,能带变的越来越水平.对于核壳结构纳米线,分波态密度显示它们都是II型异质结构.研究有助于理解这类异质结构纳米线以及它们在电子发动机及光伏设备方面的应用.  相似文献   
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