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本文构建了三种不同堆叠形式下的二维InSe/SnSe2范德华异质结模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理方法综合考察了二维InSe/SnSe2三种不同堆叠情况下的几何构型及稳定性,在此基础上选取具有最稳定性能的构型.该异质结呈现出Ⅱ型能带对齐特征,带隙值为1.118 eV,可以实现电子-空穴的有效分离.另外,相比与单层二维InSe/SnSe2范德华异质结的光吸收能力达到明显提升,在紫外光范围内吸收系数达到10~6 cm-1.研究结果将为相关物理实验及机理研究提供理论基础,对二维InSe/SnSe2范德华异质结在光电器件中的应用具有重要的物理意义.  相似文献   
2.
本文主要应用嵌入原子势(EAM)和分子动力学方法对纳米单晶铝杆在外载荷作用下的原子滑移、位错等形变行为做一些现象分析和研究。发现在势能曲线有明显抖动的地方对应的时间步刚好有滑移产生,滑移机制在纳米铝杆塑性变形过程中起着非常重要的作用。  相似文献   
3.
应用嵌入原子势(EAM)和分子动力学方法对纳米单晶铝杆在外载荷作用下的原子滑移、位错等形变行为做了一些现象分析和研究.研究发现在势能曲线有明显抖动的地方对应的时间步刚好有滑移产生,说明滑移机制在纳米铝杆塑性变形过程中起着非常重要的作用.  相似文献   
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