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1.
由于具有高强度、超硬度、良好的热稳定性和半导体性质等特点,tP10-FeB_4可以在高温、高压的条件下使用,所以本文采用密度泛函理论,深入研究高压下tP10-FeB_4的电子结构和吸收系数、反射率、折射率等光学性质并得出了如下几点结论:随着压强的增大,电子的重叠增大,进而导致轨道杂化、能带宽度变宽,压缩带隙. tP10-FeB_4的价带顶部和导带底部主要由Fe的3d、B的2p和2s轨道构成. tP10-FeB_4在紫外区间有良好的吸收谱,是潜在的紫外吸收材料.而在可见光区吸收较小且对可见光的折射率比较大,因此可以考虑用于制作光导纤维.  相似文献   
2.
多配性是量子纠缠中一类重要的性质。非广延熵纠缠是一种收敛于形成纠缠的量子纠缠度量,在多量子比特混合态中遵循多配性关系不等式。本文中,我们首先扩展了非广延熵纠缠构建的函数表达式参数q的成立范围,同时论证了多体量子比特类W中态非广延熵纠缠平方的多配性不等式。  相似文献   
3.
利用有效场理论研究了纳米管上双模随机同向晶场中混合自旋Blume-Capel模型格点的平均磁化强度,得到了系统格点的平均磁化强度与双模随机晶场的取值概率、外磁场、晶场参数和晶场强度比值的关系。结果表明:取值概率、外磁场、交换相互作用、晶场强度比值和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化现象;双模随机同向晶场会抑制系统的平均磁化强度,使其基态饱和值小于5/6;外磁场导致系统的二级相变消失;一定条件下系统发生一级相变;系统的平均磁化强度呈现部分缺失和负值现象。  相似文献   
4.
本文采用密度泛函理论,深入研究了温度对tP10-FeB4的电子结构和吸收系数、反射率等光学性质并得出了如下几点结论: tP10-FeB4的价带顶部和导带底部主要由Fe的3d和B的2p轨道构成。随着温度的升高,带隙略微减小, 其吸收谱和反射谱出现红移,这与带隙的变化规律一致。tP10-FeB4在紫外区间有良好的吸收谱,是潜在的紫外吸收材料。  相似文献   
5.
非广延熵纠缠是一种很好的纠缠度量方式,其本身在参数q∈[2,3]范围服从严格单配性关系.我们提出基于非广延熵纠缠平方服从的严格单配性关系,将参数范围扩展至q∈[(5-√13])/2,(5+√13)/2].该单配性关系更加严格,比非广延熵纠缠的严格单配性不等式成立范围更广.  相似文献   
6.
ZnS能够用于光解水制氢,但是由于ZnS带隙较宽在一定程度上制约了可见光的吸收。本文采用密度泛函理论研究了ⅢA族元素对闪锌矿ZnS电子结构、制氢性能和光学性质的影响。研究结果表明:B、Al、Ga、In替位Zn后的结构容易形成,而Tl替位Zn的结构不易形成。B、Al、Ga、In掺杂ZnS后能够明显减小ZnS的带隙宽度,这有助于吸收和利用可见光。并且B、Al、Ga、In掺杂ZnS后满足光水解制氢的条件,因此可以用于光解制氢。  相似文献   
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