氯化镍在12900～15000 cm-1的激光诱导荧光光谱

采用激光诱导荧光技术在12900-15000 cm^-1能量范围内研究了超声射流冷却条件下的氯化镍光谱. 通过分析,6个具有转动结构的振转带被归属为跃迁序列. 相关的转动常数、同位素位移以及(平衡)分子常数被确定. 此外, 还测量了这些振转带的寿命.     

新戊基溴和叔戊基溴在234 nm的光解动力学

使用离子速度成像技术研究了新戊基溴和叔戊基溴的234 nm光解动力学. 由于它们具有比正戊基溴更多的支链,因此不仅可以观测到C-Br键的直接断裂,还分别存在一个和两个由于弯曲振动模被激发引起的慢速解离通道,母体分子在C-Br键断裂之前就已经有大量的可资用能被用于激发弯曲振动模. 这些充分说明了新戊基溴和叔戊基溴在234 nm光解中C-Br键的断裂是由于伸缩振动和弯曲振动的耦合而产生的,而不单纯归咎于伸缩振动引起.     

硫化镍激光诱导荧光光谱：一个新的低激发态

采用激光诱导荧光技术在12200～13550 cm^-1能量范围内研究了超声射流冷却下的硫化镍光谱. 获得了4个具有转动结构的振转带,并被归属为基态至低激发态[12.4]³∑₀^- 的跃迁. 通过转动分析,确定了该低激发态的转动常数、同位素位移以及分子(平衡)常数. 此外,还测量了这些振转带的寿命.     

氧化镍位于510～610 nm的激光诱导荧光光谱 (cited: 1)

采用激光诱导荧光技术在510～650 nm研究了超声射流冷却下的氧化镍光谱,观测了55个振转谱带. 通过转动分析发现激发态的同位素位移、振转间隔和转动常数都表现出高度的不规则性,26个[Ω=0,1]-X³∑^-₀的跃迁谱带被暂时归属为5个振动序列. 此外实验中还观测了部分谱带的色散谱和寿命.     

硫化钴的激光诱导荧光光谱：一个来自基态的新激发态

采用激光诱导荧光技术在22400～24400 cm^-1研究了超声射流冷却下的硫化钴光谱,获得了一个包含六个振动带的电子跃迁序列,该电子跃迁序列为：[24.00]⁴△_7/2-X⁴△_7/2．新的电子态的电子组态很可能是core[10σ²][4π³][11σ²][1δ³][5π³],该电子态的所有的振动谱带都受到了其他电子态的严重微扰,通过转动分析得到了这些谱带的转动常数,同时也测量了这些谱带的寿命