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1.
用XRD,ESR和TPD等技术研究冲击波处理的结晶MgO后发现,MgO的晶格发生畸变,微应力值ε1/2D显著增大,有大量缺陷产生并形成F心,晶体的平均晶粒减小,且表现出各向异性,从而引起了催化剂表面碱中心强度增大,数目变化,在对乙烷氧化脱氢反应中表现出较高的活性和对乙烯的选择性,初步讨论了可能的结构模型和催化机理。 相似文献
2.
表面包覆改性对纳米CeO2分散性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
了改善纳米CeO2在Zn-Al类共晶合金中的分散性,采用超声液相包覆法对纳米CeO2进行表面活性剂表面包覆改性,并用AES测定了包覆层的厚度,用TEM研究了CeO2的团聚状况,用TGA分析了有机物包覆层的炭化温度范围,最后用FE-SEM观察了CeO2在复合材料中的分散情况。结果表明,包覆在纳米CeO2表面的厚度约为20 nm的表面活性剂层提高了微粒的分散性,而且该包覆层在495℃时已经炭化。热力学计算的结果也表明,炭化层能与氧化膜反应,该反应提高了CeO2与基体间的润湿性,并使其均匀分布在基体合金中。 相似文献
3.
本文概述了配位聚合载体化催化剂的ESR研究进展,介绍了载体研究、活性中心研究及计算机模拟技术研究方面的发展概况. 相似文献
4.
利用紫外-可见吸收和荧光发射光谱, 结合非线性最小二乘法拟合曲线以及分子力学(MM2)模拟系统地研究了手性分子N-[4-(1-芘基)]丁酰-D/L-苯丙氨酸(PDP和PLP, 总称PPs)与β-环糊精(β-CD)、 2-位硒桥联双β-CD(2-SeCD)和2-位碲桥联双β-CD(2-TeCD)的包结能力大小及这3个环糊精对PPs手性识别能力的差异和识别机理. 研究结果表明, PPs不能与单疏水空腔的β-CD形成很好的包结复合物, 与具有较长桥联链的2-TeCD结合能力最强. 2-TeCD与PDP和PLP的结合常数分别为2.33×104和6.07×103 L/mol, 对PPs的手性识别比达到KD/KL=3.84, 高于2-SeCD(KD/KL=2.61). 用MM2模拟得出了PPs与这两个双环糊精形成复合物的三维结构: PPs的绝大部分位于双环糊精两个空腔之间, 但是在这两个复合物中, 苯环与芘环所成的二面角不同. 此外, PPs与这两个双环糊精作用时均存在明显的氢键相互作用, 且2-TeCD强于2-SeCD. 相似文献
5.
原子吸收光谱法测定炼油反应器积垢中铁镍铬 总被引:1,自引:0,他引:1
炼油反应器内结垢危害极大,是石油加工过程中必须处理的问题之一。准确分析炼油反应器内积垢的成分对于了解垢的危害,选择适当的除垢方法有重要意义。文献中很少关于分析垢的报道。我们根据垢的特点和文献经验,用原于吸收法对垢样中存在的金属元素进行生产监控性分析,结果证明该方法可行。 1 试验部分 1.1 仪器与主要试剂 WFX-1F2B型原子吸收分光光度计(北京第二光学仪器厂) 空心阴极灯(上海充电器械厂) 标准储备液:用Fe、Ni金属和K_2Cr_2O_7配成100μg·ml~(-1)的标准储备液,根据不同垢样中金属含量,稀释成1~15μg·ml~(-1)标准液。 试剂均为分析纯,水为去离子水。 相似文献
6.
选取稻草为生物质原料,将其与两种不同煤阶的煤(内蒙褐煤和神府烟煤)分别以0∶100、20∶80、40∶60、60∶40、80∶20、100∶0的干基质量比均匀混合.借助固定床反应器,研究了稻草与两种煤的共热解特性,探讨了共热解过程中可能存在的协同作用.结果表明,稻草添加有利于共热解气体产物的生成,且对神府煤作用更明显;稻草含量越高,热解气体产量的实验值与加权平均计算值的偏差也越大,说明稻草与煤共热解过程发生了协同作用.而共热解所得焦产量的实验值与加权平均计算值基本一致.热解焦傅里叶红外光谱分析结果表明,稻草添加对热解焦的官能团未造成显著影响. 相似文献
7.
研究了染料敏化太阳能电池(DSCs)中N3/Al2O3/N749交替组装结构的作用. 该结构使用Al2O3作为介质层吸附第二层染料, 可以有效拓宽DSCs的光响应范围, 提高电池的光电转化效率. UV-Vis 吸收光谱和单色光转换效率(IPCE)谱测试结果表明, 相对于单一染料, 使用交替组装结构的电池光响应范围变宽. 电流-电压(I-V)曲线结果表明, 该结构有效增加了DSCs 电池的光电转化效率, 从单一N3 和N749 染料的4.22%和3.09%增加到了5.75%, 分别增加了36%和86%. 为了研究该结构的作用机理, 本文对其界面修饰作用及界面电子过程进行了讨论. 暗电流测试结果表明交替组装结构可以有效阻止电荷复合过程; 电化学阻抗谱(EIS)结果表明在黑暗条件下, N3/Al2O3/N749结构可以提高界面电阻, 从而抑制电荷复合过程; 本文建立了等效电路模型, 并使用该模型讨论了交替组装结构的界面电子过程; 调制强度光电流谱(IMPS)和调制强度光电压谱(IMVS)的结果表明该结构可以提高电子寿命和改善电子扩散. 相似文献
8.
9.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质. 相似文献
10.
提出了一系列的安全、方便、可靠、在线和可连续操作的热解吸/色谱分析柱制备S2OF10纯品、指数稀释法配制S2OF10标准样品、应用定量校正系数测定样品中痕量S2OF10的方法和技术。分别采用气相色谱、红外光谱、气相色谱/质谱等方法对色谱制备的S2OF10纯品进行了纯度分析和测定。配制S2OF10标准气体的体积分数范围为8.0×10-7~2.6×10-4。气相色谱测定S2OF10的定量校正系数为0.197,测定方法的相对误差范围为1.8%~20%。 相似文献