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本文从第一性原理出发,利用密度泛函理论(DFT)计算了MgBeN(N=1—7)团簇的最低能量结构及其电子性质.计算结果表明,MgBeN(N=1—7)团簇最低能量结构的对称性与单一组分的镀团簇相比有所降低,Mg-Be最近邻原子间距和能隙随团簇尺寸的增加出现了振荡现象,从结构稳定性上来看。N=3是MgBeN(N=1—7)团簇的一个幻数。 相似文献
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基于第一性原理,用密度泛函理论中的广义梯度近似方法,获得了BnNi(n≤5)小团簇在不同自旋多重度下的几何构型,确定了最低能量结构,并计算了相应的频率、平均结合能和磁性. 结果表明:BnNi(n≤5)小团簇最低能量结构的自旋多重度分别为2,1,2,1,2;Ni掺入B团簇后增大了其结合能;Ni原子磁矩和团簇总磁矩随团簇尺寸增大而呈现振荡趋势.
关键词:
nNi小团簇')" href="#">BnNi小团簇
自旋多重度
磁性 相似文献
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第一性原理对Ga_nN_n(n=2~5)小团簇的结构及电子性质的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G*的水平上对GanNn(n=2~5)团簇的结构进行优化,得到了GanNn(n=2~5)团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析.结果表明,团簇的最稳定结构为平面结构,且存在着N2和N3单元,说明N-N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用;能隙间隔为1.776~3.563eV,表明GanNn(n=2~5)团簇已具有了半导体的性质. 相似文献
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第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构 总被引:1,自引:1,他引:1
用紧束缚近似线性Muffin-tin轨道的方法计算了稀磁半导体(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常数,磁性和电子结构.给出了Mn掺杂浓度的变化对(In1-xMnx)As的晶格常数,磁性和电子结构的影响. 相似文献
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采用基于第一性原理的紧束缚近似线性muffin-tin轨道(TB-LMTO-ASA)的方法,在原子球近似的基础上计算了均匀掺杂的稀磁半导体(Ga1-xFex)As在各掺杂浓度下(x=1,1/2,1/4和1/8)的总能量,由能量最低原理得到其在各稳定点的晶格常数,磁性及相应态密度.计算结果表明了(Ga1-xFex)As的晶格常数随掺杂浓度的增大而减小,在各掺杂浓度下(除x=1)样品都是反铁磁态的,Fe 3d和As 4p之间杂化是引起样品电子结构和磁性变化的主要原因. 相似文献
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从第一性原理出发,利用密度泛函理论中的广义梯度近似对ZrnFe(n=2-3)团簇进行了结构优化、能量和频率计算.在充分考虑自旋多重度的前提下,对每一具体尺寸的团簇,得到了多个平衡构型,并根据能量高低确定了团簇的基态结构.综合团簇的结合能、二阶能量差分以及团簇的最高占据轨道和最低未占据轨道间的能隙可知Zr5Fe,Zr7Fe和Zr12Fe团簇的稳定性相对较高,Zr12Fe团簇的结构是具有Ih对称性的正二十面体,而且Zr12Fe的稳定性在所有团簇中是最高的.另外,不仅Zr5Fe,Zr7Fe和Zr12Fe团簇的稳定性相对较高,而且它们均为磁性团簇(而Zrn团簇的磁矩在n≥5时已经发生了淬灭),由此可知通过选择合适的掺杂元素可能得到高稳定的磁性团簇.从Mulliken布居分析结果可知,除了在Zr12Fe团簇中Fe原子失去少量电荷外,其他团簇中Fe原子均从Zr原子那里得到了一定量电荷,即Fe原子在ZrnFe(n=2-3,n≠12)团簇中是电子受体. 相似文献