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1.
设X是维数大于2的Banach空间,映射δ:B(X)→B(X)是2-局部Lie三重导子,则对所有A∈B(X)有δ(A)=[A,T]+φ(A),这里T∈B(X),φ是从B(X)到FI的齐次映射且满足对所有A,B∈B(X)有φ(A+B)=φ(A),其中B是交换子的和. 相似文献
2.
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性,具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In0.35Ga0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性,在±4 V时的整流比为25,开路电压为1.32 V。In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合,得到异质结的反向饱和电流为1.05×10-8 A,势垒高度为0.86 eV,理想因子为6.87。 相似文献
3.
4.
建立了一种基于荧光共振能量转移(FRET)的核酸适配体传感器,并用于检测实际水体和牛奶中的环丙沙星(CIP)。为了防止羧基荧光素(FAM)被CIP猝灭,FAM和四甲基罗丹明(TAMRA)分别标记在互补单链DNA(FAM-cDNA)和适配体(TAMRA-APT),通过DNA杂交发生FRET, TAMRA有效猝灭FAM的荧光。CIP加入后,其与FAM-cDNA发生亲和力竞争反应,CIP与TAMRA-APT形成结构更稳定的CIP/TAMRA-APT复合物,使体系FAM的荧光恢复。在优化条件下,本方法对CIP表现出高灵敏度和高选择性,检测浓度线性范围为0.01~1μmol/L,检出限为6 nmol/L;对实际水样和牛奶的加标回收率为90.4%~113.2%,相对标准偏差为1.8%~11%。该荧光适配体传感器具有成本低、灵敏度高、特异性好等优点,在环境中CIP残留快速检测方面具有良好的应用潜力。 相似文献
5.
合适比例增敏剂会对超级微波消解-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定食品中硒元素含量具有一定的优化效果。本文采用超级微波消解仪对1.0 g食品样品进行全消解,采用碰撞池模式规避质谱干扰,内标校正非质谱干扰,选择甲醇、乙醇、乙酸、异丙醇、丙三醇作为增敏剂,并调整测试过程中的添加比例,用电感耦合等离子体质谱法测定。结果表明:2%异丙醇存在时硒元素各同位素响应值最高,其中78Se具有低至0.0003 mg·kg-1的方法检出限;用以上方法对食品标准物质(GSB-8、GSB-9、GSB-24、GSB-30)及实际样品进行分析,标准物质测定值均在其认定值及不确定度范围内,相对误差小于-5.4%;实际样品测定值的相对标准偏差(n=7,RSD)为0.3~1.7%,加标回收率为99.2~105%。本方法操作简便,精密度好,准确度高,可以作为各类食品样品中硒含量测试方法。 相似文献
6.
针对传统微带天线带宽窄和增益低等问题,设计了一种易与射频(RF)前端集成的硅基微带天线。该天线设计结合MEMS工艺,将高阻硅和低阻硅通过键合工艺形成双层硅基底,来改善微带天线介质基板的等效介电常数,有效增大了天线的带宽。同时通过在地面引入缺陷地结构(DGS),有效的抑制谐波的产生。在此基础上设计了中心频率为10 Hz,2×2天线辐射阵列。仿真结果表明,天线相对阻抗带宽达到15.9%,增益超过10.9dB,比传统微带天线有明显提升,同时满足引信中天线抗干扰的要求。 相似文献
7.
红外CT模拟在混凝土板内部缺陷探测中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
红外成像技术采用非接触式检测方法,对结构内部缺陷进行实时、快速大面积扫描探测,作为无损检测领域一项新的技术在土木工程中得到越来越广泛的应用。但是,这种技术的主要缺点是只能通过成像技术显示缺陷表面状况,却无法获知缺陷深度和厚度。本文以一维有缺陷混凝土板为研究对象,采用有限差分法对混凝土板进行热传导数值模拟分析,获得每一点物体表面温度差与缺陷深度及其厚度的非线性对应关系。在此基础上,采用人工神经网络算法,实现对混凝土板内部缺陷的三维重构,即红外CT模拟。本文提出的方法可以同时获得缺陷深度和厚度,并适用于任意形状的缺陷。 相似文献
8.
9.
10.
研究了纳米银对稀土铕-吡啶-2,6-二羧酸配合物(Eu(Ⅲ)C7H5NO4,Eu(Ⅲ)DPA)的荧光性质的影响。随着纳米银浓度增加,荧光强度先增强而后逐渐下降。较大粒径的纳米银使Eu(Ⅲ)DPA荧光增强效率较大,且达到最大荧光增强效率所需的纳米银浓度较低。在高浓度Eu(Ⅲ)DPA溶液体系中,纳米银导致荧光猝灭。电偶极子跃迁发射荧光增强效率大于磁偶极子跃迁发射荧光增强效率。分析认为,纳米银对Eu(Ⅲ)DPA荧光性质的影响与表面等离子体共振与激发态荧光中心强烈耦合以及表面等离子体再吸收有关。同时,纳米银对铕配合物的不对称率有影响,其影响因素与局域电磁场增强,折射率以及配位场有关。 相似文献