解析法确定含蜡原油热质耦合的蜡分子扩散速率

蜡分子扩散过程是在热和质的广义热力学"力"耦合驱动下产生广义热力学"流"的结果,其实质是传热和传质同时存在的复杂耦合不可逆过程.基于非平衡态热力学的基本原理,推导出含蜡原油管输过程蜡分子扩散热质传递的线性唯象方程组;依据质量和能量的守恒关系,得到蜡分子扩散的传热一传质微分方程组,利用拉普拉斯变换求解到其解析解,探讨促使蜡分子扩散的动力学原因,分析输量和季节变化的不同工况对扩散速率的影响.     

大学物理课程教学设计撰写方法探讨——以绪论课为例

课程教学设计中不仅包含了课程教学内容,还蕴含了授课思路、方式与方法,以及课程思政元素的融入等因素,教学设计质量与水平是讲好一堂课的关键.本研究以绪论课为例,探讨了大学物理课程教学设计撰写思路与方法.     

在物理实验教学中培养学生创新能力的探索与研究

在物理实验教学中,培养学生创新意识,提高学生创新能力是教学研究的主线。本研究深入探讨在物理实验教学中培养学生创新能力的途径,通过更新教学内容,转变教学模式,丰富教学手段与方法,健全教学的评价机制等方面的探索与研究构建以学生为中心、教师为主体的实验教学体系及运行机制,实现培养学生创新能力的目标。     

热泵的高效节能特性

 目前世界正面临着能源危机,各国都在积极开发新能源,如核能、太阳能、氢能、生物质能等。同时也在研究新的能量转换技术,如磁流体发电,燃料电池等。除此之外,节能也是一种解决能源危机的有效途径,目前出现了一系列节能技术,如水煤浆的出现,非晶态铁芯变压器即将全面推广,陶瓷发电机的问世,高效节能传热介质的研制成功等等。这些技术都能节约大量的能源。本文仅通过实例来简述另一种高效节能技术──热泵的高效节能特性。一、热泵的工作原理及发展简史热泵是一种把热量从低温热源传送到高温热源的装置。其工作原理与制冷机的工作原理相同,只是目的不同而已。     

Bandgap evolution of Mg3N2 under pressure: Experimental and theoretical studies

Wide bandgap semiconductors are crucially significant for optoelectronic and thermoelectric device applications. Metal nitride is a class of semiconductor material with great potential. Under high pressure, the bandgap of magnesium nitride was predicted to grow. Raman spectra, ultra-violet-visible (UV-Vis) absorption spectra, and first-principles calculations were employed in this study to analyze the bandgap evolution of Mg₃N₂. The widening of the bandgap has been first detected experimentally, with the gap increasing from 2.05 eV at 3 GPa to 2.88 eV at 47 GPa. According to the calculation results, the enhanced covalent component is responsible for the bandgap widening.     

GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应

在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明:电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.     

蓝失谐驱动下双腔光力系统中的光学非互易性

光学非互易性对建立量子网络和现代通讯技术都是不可或缺的.本文研究了双腔光力学系统在蓝失谐驱动下如何实现完美的光学非互易性.研究发现此系统中的光学非互易性来源于系统中的光力相互作用和腔模线性耦合相互作用之间的量子干涉效应.在应用光力学输入输出关系得出输出光场表达式后,给出了在此系统中实现完美光学非互易性的条件以及影响非互易谱线宽度的因素.另外还发现当系统参数(耗散速率)一定时,可以存在两套耦合强度来实现完美的光学非互易性.最后利用劳斯-霍尔维茨(Routh-Hurwitz)稳定性判据给出了系统的稳定条件.     

GaAs半导体量子箱中电子的斯塔克效应

在有效质量近似下,利用变分法研究了在GaAs半导体量子箱中电子能量的斯塔克效应.结论表明：电场平行于量子箱的中心轴时,斯塔克能移只与量子箱高度有关;电场垂直于中心轴时,斯塔克能移仅仅与它的截面尺寸有关.当电场方向与中心轴夹角为任意角时,斯塔克能移与高度和截面都有关.同时在低场和高场极限下,理论上分析了电场大小和量箱尺寸对斯塔克能移的影响.