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1.
The effect of bismuth on the optical properties of InGaAsBi/GaAs quantum well structures is investigated using the temperature-dependent photoluminescence from 12 K to 450 K.The incorporation of bismuth in the InGaAsBi quantum well is confirmed and found to result in a red shift of photoluminescence wavelength of 27.3 meV at 300 K.The photoluminescence intensity is significantly enhanced by about 50 times at 12 K with respect to that of the InGaAs quantum well due to the surfactant effect of bismuth.The temperature-dependent integrated photoluminescence intensities of the two samples reveal different behaviors related to various non-radiative recombination processes.The incorporation of bismuth also induces alloy non-uniformity in the quantum well,leading to an increased photoluminescence linewidth.  相似文献   
2.
在赝形渐变InGaAs/In0.52Al0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV. 关键词:  相似文献   
3.
徐刚毅  李爱珍 《物理学报》2004,53(1):218-225
系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计.分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱.研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元,而是粒子数反转程度,尤其是空穴填充HH1子带的概率.增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益.前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量;后者拉大了价带子带间距,尽管它同时略微增加了空穴有效质量.这两种因素都导致价带顶空穴态  相似文献   
4.
用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解,锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜,用俄歇能谱证明,其主要成分为难溶的氧化锑,此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀,同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱,通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察,在刻蚀剂中添加酒石酸,柠檬酸和氢氟酸等试剂,可使刻蚀形得改善,实验研究了锑化镓的平带电势的测定。  相似文献   
5.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In080Ga020As/In053Ga047As/In052Al048AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性  相似文献   
6.
在不同晶格温度和不同激发光强度下,测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱,导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明,激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型,线性比例系数I/I0实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率,而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能,而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数. 关键词:  相似文献   
7.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词:  相似文献   
8.
We present the effects of hetero-interfaces and major key parameters on the thermal behaviors and performance of short wavelength mid-IR InAs/AlSb quantum cascade lasers (QCLs). We use a finite element method (FEM) with commercial software, ANSYS, to simulate the heat dissipation in QCLs in cw operation mode with an epilayer-down mounting package. The thermal performance is characterized by the temperature increase AT (self-heating effect) between the active region of QCLs and the heatsink. Results show that (1) the self-heating effects of InAs/AlSb QCLs are much less than those in AlInAs/GaInAs Q, CLs, (2) narrower ridges lead to significantly cooler active regions of InAs/AlSb QCLs due to poor heat transport in the cross-plane direction (across interfaces) and that most of the heat flows out of the active region in the lateral direction, and (3) the cavity length of the laser has little influence on the self-beating effect of the device, but the long cavity reduces mirror loss and threshold current density.  相似文献   
9.
We investigate the self-heating effect of mid-infrared quantum cascade lasers by using a direct-based pulse injecting current and spectroscopy method. Based on the characterization system, the thermal characteristics of gas source MBE grown 8.4μm InP-based GalnAs/AIInAs DFB-QCLs are evaluated. The method and characterization system are also useful in evaluating the thermal characteristics of other types of mid-infrared diode lasers.  相似文献   
10.
徐刚毅  李爱珍 《物理学报》2004,53(1):218-225
系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计,分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构,并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解,由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱,研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元,而是粒子数反转程度,尤其是空穴填充HHl子带的概率,增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益,前者降低了价带HHl子带空穴的平面内有效质量;后者拉大了价带子带间距,尽管它同时略微增加了空穴有效质量,这两种因素都导致价带顶空穴态密度的降低,提高了空穴在HHl子带的填充概率,最终提高了量子阱的增益,所得结论与已有的实验报道相符。  相似文献   
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