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1.
高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔。本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品。结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5%。综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利。  相似文献   
2.
以“保守系统平衡位置微振动”为例,论述在理论力学中如何适当地整合知识点使之成为一个案例,使学生从具体的案例出发经过思考、分析、讨论,得到可能的解决方案,并进行评价、提炼理论.实践证明,把案例教学引入理论力学教学中,通过多个阶段的实践过程锻炼,有助于学生形成“主体性”和“实践性”的习惯,从而改善课堂教学关系,提高学生的独立学习和实践创新能力.  相似文献   
3.
在与三个场相互作用的Y型四能级原子系统中,利用密度矩阵方程计算了介质对探测场的吸收,分析了自发产生相干对探测吸收的影响.结果发现:随着自发产生相干的影响,在共振中心处,探测吸收表现出不同的现象.当自发产生相干对探测吸收产生相消干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处削弱吸收,出现增益.当自发产生相干对探测吸收产生相长干涉时,随着自发产生相干的增强,在共振中心处出现吸收增强,也即出现电磁诱导吸收(electromagnetically induced absorption,简称EIA),在共振两侧的双电磁感应透明强度(electromagnetically induced transparency,简称EIT)增强,窗口变宽.同时,在能级| 3〉→| 2〉与| 4〉→| 2〉的自发衰减速率比值不变下,当能级|3〉→|2〉与|4〉→|2〉的自发衰减速率减小时,在共振中心处,吸收线宽变窄,共振两侧的透明窗口变宽.  相似文献   
4.
地方综合性大学“热学”精品课程建设的探索   总被引:1,自引:0,他引:1  
宋金璠  李根全  侯晨霞 《大学物理》2011,30(7):37-40,43
精品课程建设是高等学校提高教学质量的重要措施之一,地方综合性大学进行精品课程建设应该依托地方优势、突出地方特点.文章从人才培养目标、教材建设、师资队伍、教学方法和手段等方面对地方综合性大学“热学”精品课程的建设进行了探索和研究.  相似文献   
5.
本文系统研究了NO在Ir(111)表面的吸附,解离,以及可能的N_2生成机理.结果表明,顶位吸附的NO,其解离能垒较高(3.17 eV),不会发生解离,而三重Hcp和Fcc空位吸附的NO发生解离,能垒分别为1.23和1.28 eV.N_2是唯一的生成物,不会有副产物N_2O的产生.其最可能的反应路径为N和NO经过N_2O中间体而生成N_2,而不是直接N提取和N-N聚合产生N_2的机理.  相似文献   
6.
本文系统研究了H、N、O、C、S等原子,N_2、NH_3、NO、CO等分子和CH_3、CH、CH_2和OH等自由基在Pt(100)表面的吸附.从能量上来看,吸附能力从小到大的顺序是N_2NH_3COCH_3NOHOHNCH2OSCHC.原子类吸附物中H、N、O的最稳定吸附位均为桥位,而S、C则倾向于四重空位.所研究的分子吸附物(N_2、NH3、CO、NO),N_2和NH_3有且只有一种顶位吸附结构,CO和NO均优先吸附在空位.自由基吸附物(CH、CH_2、CH_3、OH)在Pt(100)表面上的吸附,CH_3优先吸附在顶位,CH_2、OH它们的最稳定吸附位均为桥位.原子、分子和自由基吸附后,会引起Pt(100)原子层间距的改变.  相似文献   
7.
按对卓越教师的要求,以热学为例,总结了建模法、求导法、积分法、图解法、近似计算法、类比法、反证法等几种常用的解题方法,使学生在掌握知识的同时,提高思维创新能力,产生希望学习更多知识的欲望.  相似文献   
8.
与象电荷有关的能量和互作用力问题   总被引:12,自引:8,他引:4  
指出与象电荷有关的系统的互能、互作用力和真实电荷系统的互能、互作用力分别相等,自能、有一般分别不等。  相似文献   
9.
运用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-311G基组水平上对 团簇进行了构型优化、频率分析与电子性质计算.同时讨论了团簇的平均结合能、能级间隙、二阶能量差分、自然电子布居、极化率.研究结果表明: 团簇的基态绝大多数为立体结构. 时,体系的基态为自旋三重度, 时,则为单重态.镁原子的掺入使得主团簇的电子性质发生了明显的变化,掺杂使体系的平均结合能降低,能隙减小,化学硬度减小,电子亲和能增大.电子总是从 原子向 原子转移.团簇中原子之间的成键相互作用随n的增大 而增强,团簇的电子结构随n的增大而趋于紧凑.  相似文献   
10.
本文应用幺正变换和线性组合算符法研究了极性晶体内强耦合磁极化子的平均数^-n与磁场B和温度T之间的依赖关系。讨论了在不同的近似计算程度情况下,磁极化子平均数与磁场和温度的特性。对RbCl晶体所作的数值计算结果表明:当计算的近似程度较低时,磁极化子的平均数随温度的升高而减小,但随磁场的加强而增大;当计算的近似度较高时,磁极化子的平均数随温度的升高而增大,但随磁场的加强而减小。  相似文献   
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