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1.
为实现小于10 ns光脉冲上升时间的超高速声光调制,该文提出一种光纤耦合声光调制器光脉冲时域响应的理论设计仿真方法。利用该方法对1064 nm和1550 nm工作波长光纤耦合声光调制器进行了仿真,结果预测器件的光脉冲上升时间分别为9.4 ns和9.1 ns;通过器件制作和测试验证,两个波长的器件实测光脉冲上升时间分别为9.74 ns和9.22 ns,实测与理论仿真结果偏差较小。文章最后对器件在超快光纤激光器种子源光脉冲选单、光纤水听阵列时分复用及潜在的宽带移频应用进行了介绍。 相似文献
2.
研究光在微纳结构中的分布与传播, 实现在纳米范围内操纵光子, 对于微型光学芯片的设计有着重要意义. 本文利用聚焦离子束刻蚀方法, 在基底为石英玻璃的150 nm厚金膜上刻制了不同参数的阿基米德螺旋微纳狭缝结构, 通过改变入射光波长、手性、及螺旋结构手性和螺距等方式, 在理论和实验上系统地研究了阿基米德螺旋微纳结构中的表面等离激元聚焦性质. 我们发现, 除了入射激光偏振态、螺旋结构手性之外, 结构螺距与表面等离激元波长的比值也可以用来控制结构表面电场分布, 进而在结构中心形成0阶、1阶乃至更高阶符合隐失贝塞尔函数的涡旋电场. 通过相位分析, 我们对涡旋电场的成因进行了解释. 并利用有限时域差分的模拟方法计算了不同螺距时, 结构中形成的电场及相应空间相位分布. 最后利用扫描近场光学显微镜, 观测结构中不同的光场分布, 在结构中心得到了亚波长的聚焦光斑及符合不同阶贝塞尔函数的涡旋形表面等离激元聚焦环. 相似文献
3.
近几年,芳基甲酰甲酸开始作为一种新的酰基化试剂应用于有机合成中。与其他酰基化试剂相比,其可以通过脱羧过程以亲核试剂的形式参与反应,具有反应活性高、反应条件温和的特点,大大拓展了酰基化反应的应用范围。本文综述了近几年芳基甲酰甲酸在偶联反应和碳氢键活化反应研究中的新应用和新进展。 相似文献
4.
利用数值求解原子在强激光场中的含时薛定谔方程,对一维氦原子处于两色红外组合场中产生的高次谐波进行了研究,研究发现,在组合场驱动下,谐波谱的截止位置可以拓展到 ,从而得到脉宽较短的多个阿秒脉冲,通过改变两束激光的相位延迟,最终得到了33.8as的单个脉冲。进一步利用小波变换分析了阿秒脉冲的发射特征,发现单个阿秒脉冲实现是对电子长路径抑制的结果. 相似文献
5.
建立了原子荧光光谱法测定食品添加剂磷酸中砷的方法.并对负高压、灯电流、载气流量、屏蔽气流量、硫脲与抗坏血酸浓度、载流介质浓度、硼氢化钠浓度等作了研究并予以优化.方法的线性范围为0.0-40.0ng/mL,相关系数为1.0000,检出限为0.02ng/mL,相对标准偏差在0.82%-1.86%之间,试样加标回收率在95.10%-102.20%之间.方法操作简便、灵敏度高、检出限低、重复性和再现性好,完全适用于食品添加剂磷酸中砷的检测. 相似文献
6.
7.
一年一度的诺贝尔物理学奖评选结果颁布了,这一世界性的科学事件已经渗透在各个领域。对于国人,由于以前从来没有中国籍诺贝尔奖获得者出现过,所以会不会有中国籍的获奖者出现,便成为人们关注的焦点。而试图与诺贝尔奖分庭抗礼的"另类"的诺贝尔奖已经提前一周公布,这就是搞笑诺贝尔奖。 相似文献
8.
研究沉降分布孔隙率多孔介质流动和传热,根据"O"形圈理论和现场测定确定孔隙率系数,建立坐标方向孔隙率分布函数;考虑流体密度变化,并引入Brinkman-Forchheimer的扩展Darcy模型,能量方程采用界面连续条件,建立沉降分布孔隙率多孔介质流动和传热求解模型.采用差分法对模型进行离散化,应用高斯–赛德尔方法迭代求解.数值分析表明:沉降分布孔隙率条件下多孔介质内流体流动速度在壁面附近较大,中心部位较小,壁面附近孔隙率的增大使得低流速区域减小,较高流速区域增大;当孔隙率小值时,温度按线性减小;当孔隙率大值时,温度在高低温壁面附近迅速减小,在中部减小较缓,热量按导热和对流共同传递;孔隙率增大能使平均怒谢尔数增大,对流换热作用增强. 相似文献
9.
10.
A Multiple Resonant Mode Film Bulk Acoustic Resonator Based on Silicon-on-Insulator Structures 下载免费PDF全文
With the rapid development of wireless technol- ogy, the demand for integrating multi-band devices has spurred substantial research interest. Research on CMOS compatible radio-frequency (rf) devices has also attracted significant attention. The resonant frequency of film bulk acoustic resonators (FBARs) is mainly determined by the thickness of the piezo- electric film, complicating the integration of differ- ent frequencies on a single chip. One report real- ized multiple resonant frequencies around 2.0 GHz by changing the quality of the electrode. Another re- port obtained the 2.5 GHz main frequency response with a quality factor (Q) of 101.8 and some spuri- ous resonances, while these spurious resonances were irregular. 相似文献