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研究了基于n阶二部图和s阶完全图构造的一个图类,得到了该图类的无符号拉普拉斯最小特征值(即最小Q-特征值)的一个可达上界为s.基于此,对于任意给定的正整数s和正偶数n,构造了最小Q-特征值为s的一类n+s阶图.另外,对于任意给定的最小度δ和阶数n,在满足2≤δ≤n-1/2条件下,构造了最小Q-特征值为δ-1的一类n阶图. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法观察修饰不同原子(Mo,Pt,Si)来调控BC_3体系的表面结构和反应活性.研究发现:单个原子吸附在BC_3表面具有不同的稳定位,Pt和Si原子吸附在H1位稳定,而Mo原子吸附在H2位稳定.单个原子在完整结构BC_3表面的扩散势垒较小,而掺杂的原子在单空位缺陷BC_3体系中具有极高的稳定性( 6.5 eV),这些掺杂原子显正电性能够有效地调制BC_3体系的电子结构、磁性以及影响二氧化硫(SO_2)的吸附强弱.与Pt原子掺杂的BC_3体系(Pt-BC_3)相比,单个SO_2分子在Si-和Mo-BC_3体系上的吸附能较大,表现出较高的灵敏特性.该研究为设计类石墨烯基功能纳米材料提供参考. 相似文献
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