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为了降低PLZT铁电薄膜的结晶温度,使用溶胶-凝胶法配合紫外光辐照的光化学工艺,在单晶硅基板上低温制备了PLZT铁电薄膜.经过紫外辐照过的凝胶膜可以在400℃促使PLZT获得良好的铁电性能,剩余极化强度为12.3μC/cm2.紫外辐照过的薄膜可以在低温下有效地分解金属醇盐,形成活性金属氧化物,保证材料低温结晶.辐照过程中产生的臭氧可以带走薄膜中的残炭,使得薄膜具有良好的铁电性能.低温制备的PLZT铁电薄膜获得了稳定的光电流和较好的光电转化效率. 相似文献
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采用固相反应法成功制备出具有ABO3型钙钛矿结构的锆钛钡钙(Ba0.85Ca0.15) (Zr0.1Ti0.9) O3无铅压电陶瓷,研究了粉体预烧温度和陶瓷片烧结温度对(Ba0.85Ca0.15) (Zr0.1Ti0.9) O3陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明:当预烧温度为1200oC、烧结温度为1400oC可获得具有优异电学性能的(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3无铅压电陶瓷,其电学性能分别为居里温度Tc=97 ℃,最大介电常数εmax=14920,剩余极化强度为Pr=9.96 μC/cm2,矫顽场Ec=7.20 kV/cm,压电常数d33=543 pC/N,机电耦合系数kp=52;,其高的电学性能可以和铅基压电材料相媲美,表明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷有望实现压电陶瓷的无铅化应用. 相似文献
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