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1.
为了降低PLZT铁电薄膜的结晶温度,使用溶胶-凝胶法配合紫外光辐照的光化学工艺,在单晶硅基板上低温制备了PLZT铁电薄膜.经过紫外辐照过的凝胶膜可以在400℃促使PLZT获得良好的铁电性能,剩余极化强度为12.3μC/cm2.紫外辐照过的薄膜可以在低温下有效地分解金属醇盐,形成活性金属氧化物,保证材料低温结晶.辐照过程中产生的臭氧可以带走薄膜中的残炭,使得薄膜具有良好的铁电性能.低温制备的PLZT铁电薄膜获得了稳定的光电流和较好的光电转化效率.  相似文献   
2.
采用固相反应法成功制备出具有ABO3型钙钛矿结构的锆钛钡钙(Ba0.85Ca0.15) (Zr0.1Ti0.9) O3无铅压电陶瓷,研究了粉体预烧温度和陶瓷片烧结温度对(Ba0.85Ca0.15) (Zr0.1Ti0.9) O3陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明:当预烧温度为1200oC、烧结温度为1400oC可获得具有优异电学性能的(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3无铅压电陶瓷,其电学性能分别为居里温度Tc=97 ℃,最大介电常数εmax=14920,剩余极化强度为Pr=9.96 μC/cm2,矫顽场Ec=7.20 kV/cm,压电常数d33=543 pC/N,机电耦合系数kp=52;,其高的电学性能可以和铅基压电材料相媲美,表明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷有望实现压电陶瓷的无铅化应用.  相似文献   
3.
通过生物矿化合成了聚氨酯/Ag2S纳米复合薄膜.通过傅里叶变换红外光谱研究、扫描量热法(DSC)、扫描电镜等方法研究了硫化银纳米粒子对复合薄膜物理性质的影响.用DSC 测定了复合材料的热 稳定性.通过对纳米复合材料荧光性能的研究发现薄膜对Ni(II)的存在非常敏感,少量Ni(II)离子的存在使得荧光光谱强度迅速增加.可以预测此复合薄膜可被开发成水溶液中Ni(II)的传感器.  相似文献   
4.
使用溶胶-凝胶法在石英玻璃基片上制备了PZT铁电薄膜,通过控制热处理工艺,制备出致密且均匀的PZT铁电薄膜.通过获得高的剩余极化强度,提高PZT膜层的内建电场,从而提高PZT铁电薄膜的光电转化效率.经过500℃高温热处理1h后不仅提高了PZT的结晶度,同时提高了PZT的致密度,PZT薄膜经过电场的极化,可以获得剩余极化强度为17 μc/cm2.紫外光照射下的光电流稳定.  相似文献   
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