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1.
采用光外差速度调制光谱技术研究了N2+分子离子A2∏u-X2∑+g 系(2,0)带转动光谱.由于所用技术的高灵敏度特性,精确地确定了该带310条谱线的频率,其中,那些重叠谱线的频率也通过解谱精确地确定了.利用标准Hamilton量,采用非线性最小二乘方法对该带进行了分析,获得了最精确的分子常数.  相似文献   
2.
纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜. 傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH2为主. 随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少. 关键词: 氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式  相似文献   
3.
氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s. 关键词: 纳米晶硅薄膜 氢稀释 晶化率 硅烷  相似文献   
4.
从有源的二端网络出发 ,通过对电压源的等效电路进行分析和讨论 ,解决分压电路中滑线变阻器的选择问题。  相似文献   
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