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第一次从实验上展现了氧化石墨烯在缺氧氧化锌薄膜表面的自发分裂,即完整的氧化石墨烯片会自发分裂成许多小片. 此现象的可能机制是：氧化石墨烯表面存在链状的环氧基团,缺氧氧化锌薄膜表面的氧空位能够吸收氧化石墨烯表面的环氧基团,影响氧化石墨烯表面的环氧基团链的稳定性,导致环氧基团链自发打开,从而使完整的氧化石墨烯片破裂成很多小片. 相似文献
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利用化学气相沉积法, 在铜箔上成功制备出形似自然界中刺球花的ZnO纳米花结构. 实验进一步研究了氧气和氩气流量比例分别为1:150, 1:200, 1:250和1:400时对ZnO纳米花结构和性能的影响. 结果表明, ZnO纳米花上的ZnO纳米棒的长径比随氧气氛的减少而减小; 在氧气和氩气流量比例为1:250时制备出的ZnO纳米花尺寸均匀、形貌均一、花型结构最完美. ZnO 纳米花的室温光致发光谱表明, 随着氧气氛的减少, 可见区域的发光从一个波包变成一个宽峰, 且与锌空位相关的缺陷发光峰在减弱, 与氧空位相关的缺陷发光峰在增强. 基于实验结果, 提出了一种在铜箔上制备ZnO纳米花结构的生长模型. 相似文献
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在聚二甲基硅氧烷衬底上梳理得到DNA阵列,并以DNA为模板通过低温乙醇还原得到Pd纳米线,再通过PDMS转移技术将Pd纳米线转移至不同的衬底,这是一种制备高导电性Pd纳米线的新方法.以DNA为模板的选择性生长控制方法可以显著抑制衬底上无规Pd纳米颗粒的出现. SEM观测制备的Pd纳米线的宽度约为80 nm,连续长度可达14 μm. FESEM、XPS和TEM表征揭示出Pd纳米线是由面心立方结构的Pd纳米晶粒组成,电学测量获得的Pd纳米线的电阻率为1.59 μΩm,仅比体电阻率高约一个量级. 研究还发现通过改变反应时间和温度可以有效调控Pd纳米线的生长过程. 相似文献
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