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砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用X射线光电子能谱(XPS),测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值,指认了砷化镓(GaAs)晶片表面的氧化物组成,计算了表面氧化层的厚度,定量分析了表面的化学组成;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明:砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3和单质As组成,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比,而且,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加;溶液处理后,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。 相似文献
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用X射线光电子能谱仪 (XPS)研究了砷化镓 (GaAs)晶片在空气中的热氧化和在紫外光 臭氧激发下的氧化反应 .分析了氧化层中的微观化学构成、表面化学计量比以及表面氧化层的厚度等 .研究表明 ,两种氧化方法的氧化过程不同 ,在砷化镓表面形成的氧化膜的厚度以及组成也不同 ,热氧化下氧化层主要由Ga2 O3、As2 O3、As2 O5 以及少量元素As组成 ,而且表面明显富镓 ;紫外光激发下生成的氧化物主要为Ga2 O3 和As2 O3 ,镓砷比与本体一致 .讨论了可能的反应机理 ,紫外光不仅将氧分子激发为激发态氧原子 ,增加了氧的反应活性 ;同时也激发了GaAs材料的价电子 ,使其更容易被氧化 相似文献
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