首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10篇
  国内免费   1篇
  完全免费   20篇
  物理学   31篇
  2019年   1篇
  2018年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2011年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   1篇
  2005年   1篇
  2003年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1995年   4篇
  1993年   1篇
  1990年   1篇
  1988年   2篇
  1987年   4篇
  1982年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有31条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
Helium-containing Ti Glms are prepared using magnetron sputtering in the helium-argon atmosphere. Isochronal annealing at different temperatures for an hour is employed to reveal the behaviour of helium bubble growth. Ion beam analysis is used to measure the retained helium content. Helium can release largely when annealing above 970K. A thermal helium desorption spectroscopy system is constructed for assessment of the evolution of helium bubbles in the annealed samples by linear heating (OAK/s) from room temperature to 1500K. Also, Doppler broadening measurements of positron annihilation radiation spectrum are performed by using changeable energy positron beam. Bubble coarsening evolves gradually below 680K, migration and coalescence of small bubbles dominates in the range of 68-970 K, and the Ostwald ripening mechanism enlarges the bubbles with a massive release above 970K.  相似文献
2.
介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Sputtering/RBS原位分析实验装置,用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和深埋层分析方法.给出了对样品分析的三个例子.对Au/Si样品的分析着重讨论了Au在Ar+溅射剥层时的溅射速率;对Si/Ge Si/Si和WSix/SiO2/Si样品的深埋层分析,提高了样品分析的深度分辨率.讨论了这一Sputtering/RBS组合分析方法的优缺点和在薄膜材料研究中可能的应用  相似文献
3.
Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。  相似文献
4.
本文研究了Cu、Au薄膜镜面的激光辐射损伤,得到了反射率随激光及样品有关参数变化关系的实验结果,并对激光辐射损伤的机制进行了初步的讨论。  相似文献
5.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料.发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估.背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好.低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合.并讨论了生长温度对量于阱发光的影响.  相似文献
6.
玻尔提出原子理论过程中的创新思维具有显著的开放性、批判性、辩证性和非逻辑性特征,对当前的科技创新和科学教育有重要的启迪,促使我们对摆脱旧有观念束缚、充分利用直觉思维、恰当处理精确与的关系等问题进行了深入的思考。  相似文献
7.
通过对物理学有关史实的分析,论证了科学讨论在海森伯成才过程和测不准原理创建过程中所起的重要、关键作用,科学讨论是培养创造性人才和进行科技创新活动的有效途径。  相似文献
8.
运用Monte-Carlo方法结合半经验理论研究了高速H2+离子轰击C靶诱发二次电子的发射行为与入射角的关系。分别研究了电子发射产额与入射角以及发射统计性与入射角的关系。结果表明,由于H2+上的价电子的影响使得背向电子发射产额不遵守余弦倒数关系。斜入射时候的前向与背向电子产额的比值跟正入射时的情况不同。电子的发射统计跟入射角没有关系。标志偏离Poission分布的值 b,随入射能量的增加而增大。  相似文献
9.
卢其亮  赵国庆  周筑颖 《物理学报》2003,52(5):1278-1281
用Monte Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例,对C,Cu和Al其值分别是05,055和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子(E>10O eV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好.  相似文献
10.
对分子束外延生长带边激子发光的Si1-xGex/Si量子阱结构,通过Si离子自注入和不同温度退火,观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火,形成链状或小板式的团簇缺陷,它导致深能级发光带的形成,在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV,比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号