高性能贮氢电极合金

在简要介绍有关贮氢合金及镍－氢化物（Ｎｉ／ＭＨ）电池概念的基础上，回顾了ＡＢ５型和ＡＢ２型Ｌａｖｅｓ相贮氢电极合金的发展历史，综述了国内外有关上述两种贮氢电极合金的最新发展，讨论了提高贮氢电极合金综合电化学性能的各种方法．  

纳米碳管的电化学贮锂性能

用透射电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射和拉曼光谱表征了用催化热解法制备的纳米碳管的结构，研究了纳米碳管的电化学嵌脱锂性能。以纳米级铁粉为催化剂热解乙炔气得到的纳米碳管石墨化程度较低，结构中存在褶皱的石墨层、乱层石墨和微孔等缺陷，具有国交高的贮锂容量，初始容量为640mAh/g，但循环稳定性较差。而以纳米级氧化铁粉为催化剂热解乙烯得到的纳米碳管结构比较规则，循环稳定性较好，但贮锂容量较低，初始容量为282mAh/g。讨论了纳米碳管的结构对其温度特性和不同电流密度下的充放电容易的影响。  

机械球磨对石墨结构的影响

对石墨进行了150h机械球磨,发现石墨原有的晶体结构被破坏,引入各种晶格缺陷的同时,生成了巴基洋葱、三脚架形碳纳米结构和纳米弓形等具有高度弯曲石墨面的碳纳米结构材料.还研究了其结构特征,并讨论了其形成机理  

ICP-AES测定茶叶中5种微量元素

在用电感耦合等离子体-原子发射光谱法(ICP-AES)测定茶叶中微量元素的过程中,为了克服基体效应对分析结果准确度的影响,提出了采用两种定量分析方法优势互补的设想.首先叙述了校准曲线法和标准加入法的原理以及方法的主要特点,然后分别用每种方法定量分析同一茶叶样品中5种微量元素,比较分析结果,并用标准加入法所得数据对校准曲线法的校准曲线进行修正.  

长余辉发光粉Ba1-xCaxAl2O4:Eu2+, RE3+的发光特性及光谱分析

采用高温固相法制备了长余辉发光粉Ba1-xCaxAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (RE^3 =Dy^3 ,Nd^3 )，测量了其发射光谱、激发光谱、余辉衰减光谱和热释光谱，分析了其发光特性。在紫外线的激发下样品的发射波长随着x的变化而变化，x从0到0．6的范围变化时，发射波长相应地从498nm减小到440nm，当x大于0．6以后，波长保持440nm不再变化。通过XRD光谱对其结构进行了分析，得出Ca离子在BaAl2O4基质中有极限溶解度x0=0．4，当x大于0．4时，基质结构中出现杂相。通过热释光谱，对基质中的陷阱情况进行了分析，解释了由于x值的不同而造成的余辉时间长短的差异。  

非均匀磁场中等离子体射流质量色散强度

研究了非均匀磁场中多质量射流的运动轨迹,推导出质量色散强度表达式。考虑到不同入射方式及羽流角度的情况下,应用MATLAB模拟射流的运动轨迹,计算出质量色散强度,并同均匀磁场中的质量色散强度大小相比较,以确定该种磁场中射流质量分离的效果。模拟结果表明:非均匀磁场中多质量射流的质量色散强度大于均匀磁场的情况,可实现等离子体射流的高效质量分离。  

ED A技术在电子系统综合设计课程中的应用

在电子系统综合设计课程中增设了EDA技术的实验，并设计了CPLD硬件实验模块，以及部分实验方案。实践证明，该课程教学效率高且易引发学生的设计热情。  

石英衬底上GaN薄膜沉积及其光学性能的研究

GaN薄膜材料广泛应用于发光二极管(LED),激光二极管(LD)等光电器件。但是GaN基器件的制备与应用以及器件推广很大一部分取决于其器件的价格,常用的方式是在单晶蓝宝石衬底上沉积制备GaN薄膜样品,单晶蓝宝石衬底晶向择优,可以制备出高质量的GaN薄膜样品,但是单晶蓝宝石衬底价格昂贵,一定程度上限制了其GaN基器件推广使用。如何在廉价衬底上直接沉积高质量的GaN薄膜,满足器件的要求成为研究热点。石英玻璃价格廉价,但是属于非晶体,没有择优晶向取向,很难制备出高质量薄膜样品。本研究采用等离子体增强金属有机物化学气相沉积系统在非晶普通石英衬底上改变氮气反应源流量低温制备GaN薄膜材料。制备之后采用反射高能电子衍射谱、X射线衍射光谱、室温透射光谱和光致光谱对制备的薄膜进行系统的测试分析。其结果表明:在氮气流量适当的沉积参数条件下,所制备的薄膜具有高C轴的择优取向,良好的结晶质量以及优异的光学性能。  

Electronic structure and defect states of transition films from amorphous to microcrystalline silicon studied by surface photovoltage spectroscopy

In this paper, surface photovoltage spectroscopy （SPS） is used to determine the electronic structure of the hydrogenated transition Si films. All samples are prepared by using helicon wave plasma-enhanced chemical vapour deposition technique, the films exhibit a transition from the amorphous phase to the microcrystalline phase with increasing temperature. The film deposited at lower substrate temperature has the amorphous-like electronic structure with two types of dominant defect states corresponding to the occupied Si dangling bond states （D^0/D^-） and the empty Si dangling states （D＋）. At higher substrate temperature, the crystallinity of the deposited films increases, while their band gap energy decreases. Meanwhile, two types of additional defect states is incorporate into the films as compared with the amorphous counterpart, which is attributed to the interface defect states between the microcrystalline Si grains and the amorphous matrix. The relative SPS intensity of these two kinds of defect states in samples deposited above 300℃ increases first and decreases afterwards, which may be interpreted as a result of the competition between hydrogen release and crystalline grain size increment with increasing substrate temperature.  

学生物理思想在高中物理教学中的培养

在高中物理教学过程中，物理思想的培养是其主要教学目标，掌握一定的物理思想不但有助于对物理学习成绩进行提高，同时还可以帮助学生对一些物理方法进行掌握，从而对学生物理意识进行一定的培养。下面本文就对学生物理思想在高中物理教学中的培养进行探讨。