圈和完全图的点可区别VE-全染色(英文)

Let G be a simple graph of order at least 2.A VE-total-coloring using k colors of a graph G is a mapping f from V (G) E(G) into {1,2,···,k} such that no edge receives the same color as one of its endpoints.Let C(u)={f(u)} {f(uv) | uv ∈ E(G)} be the color-set of u.If C(u)=C(v) for any two vertices u and v of V (G),then f is called a k-vertex-distinguishing VE-total coloring of G or a k-VDVET coloring of G for short.The minimum number of colors required for a VDVET coloring of G is denoted by χ ve vt (G) and it is called the VDVET chromatic number of G.In this paper we get cycle C n,path P n and complete graph K n of their VDVET chromatic numbers and propose a related conjecture.     

双层金属纳米光栅的TE偏振光异常透射特性

根据在亚波长金属光栅表面添加电介质会引起TE偏振光的透射异常性, 应用严格耦合波理论和时域有限差分方法, 研究了双层金属纳米光栅在TE偏振光入射时产生的异常透射现象. 利用等效折射率方法建立了双层金属光栅的等效模型, 得到了TE偏振光透射率与聚合物的折射率、厚度以及金属层厚度的变化关系. 确认了结构中聚合物是透射异常出现的必要条件, TE偏振光以波导电磁模式在其中传播, 并认为类Fabry-Perot腔谐振是透射峰值产生的主要原因.     

托卡马克中的超高真空技术

赵高真空技术对于现代托卡马克的设计运行、升级和氘－氚验证实验都起着举足轻重的作用，它对先进高密度偏滤器和下一代托卡马克工程堆也有很大的影响。同时，聚变研究的许多新概念也促使了高真空技术的革新。三十五年来，等离子体密度、杂质和壁条件的控制与真空检漏、烘烤去气、放电清洗、壁处理、氢（氘、氚）的捕获、释放和再循环、壁腐蚀和再沉积等密切地联系在一起；高性能的真空室、耐烘烤和振动的超高真空密封、先进的面向等离子体组件、有效的壁处理方法、大抽速泵组等的研制成果为控制等离子体与壁的相互作用、改善聚变三乘积（niTiτE)和验证托卡马克聚变能的科学可行性作出了重大贡献。     

小冲杆试验确定材料拉伸断后伸长率的研究

小冲杆试验技术可以近似无损地测试材料的力学性能。本文对几十种材料进行了小冲杆试验研究,对小冲杆试样的轴向挠度δ与拉伸断后伸长率A进行了经验关联。研究表明,对于试验中涉及的几十种材料,二者之间没有统一的线性相关公式,但可以按材料的抗拉强度和屈强比将材料分类,然后分别对δ和A进行线性关联。对于抗拉强度小于600MPa的材料,可按屈强比为0.67将材料分为两类,分别构成两个线性经验公式。而对于抗拉强度大于600MPa的材料,尚没有找到明显的规律。     

装置器壁烘烤出气与辉光放电清洗出气研究

建立了烘烤出气和辉光放电清洗(GDC)出气的物理模型,研究了装置器壁的烘烤出气和辉光放电清洗出气特点.烘烤出气是体出气,出气过程满足扩散方程;GDC出气是溅射脱附过程,它主要是器壁表面的溅射诱导出气.由此分析了HL-1M装置的烘烤出气和辉光放电清洗出气特点,得出了一些经验公式.     

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介绍射频辉光放电等离子体改善苎麻织物毛细效应的时效性的实验。分别在充入氩气、氮气、氧气的真空室中对苎麻织物进行射频辉光放电等离子体处理，在每一种处理过程中分别改变其处理时间、放电功率和真空室压强。测试了放置不同时间的经不同等离子体参数处理后的苎麻织物的毛细效应，得出各种参数的等离子体处理对苎麻织物毛细效应时效性的影响。实验结果表明，苎麻织物被等离子体离子体处理后毛细效应得到明显改善，其毛细效应随放置时间的变化为先快速下降，然后变缓，逐渐趋于稳定，这种毛细效应的改善具有良好的时效性，其中100W、40Pa的氧等离子体处理20分钟后的苎麻织物的毛细效应时效性最好。     

微波消解/电感耦合等离子体质谱测定鹿骨粉中微量元素

采用HNO3-H2O2微波溶样、电感耦合等离子体质谱法测定了鹿骨粉中的微量元素.在优化的实验条件下,方法的检出限(3σ,n=11)为0.0006～1.498 ng·mL;标准加入回收率为91%～109%,相对标准偏差为1.7%～6.8%.对国家标准物质样品分析的结果与所给参考值吻合.     

氘离子束轰击石墨引起化学腐蚀的实验进展

在ＳＭＦ－８００ 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３ 石墨、ＳＭＦ－８００ 高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ涂层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２ 氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００ 石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４ 产额较ＳＭＦ－８００ 高纯石墨的降低一个数量级以上，ＣＤ４ 产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步观察了氘离子束轰击下石墨释放ＣＤ４ 的角分布特性，为托卡马克先进偏滤器实验中确立ＣＤ４ 辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索     

Synthesis and fluorescent properties of bis-salicyloyl hydrazide metal complexes of some group Ⅳ ions

Four novel organometallic compounds containing tin(Ⅳ),titanium(Ⅳ) and zirco-nium(Ⅳ) ions were synthesized and strong fluorescent emission was observed from two tin(Ⅳ) complexes.     

硼协同掺杂金刚石单晶的高温高压合成

金刚石是一种具有优异性能的极限性超硬多功能材料。人工合成的金刚石可通过掺杂的方式使其具有各种独特的性质。掺硼金刚石兼具p型半导体的导电特性和金刚石自身优良的物理和化学性能,在国防、医疗、勘探、科研等领域具有极高的应用价值。本文基于本课题组高温高压(HPHT)法合成的系列掺硼金刚石以及硼协同掺杂金刚石单晶,进行了硼掺杂金刚石、硼氢协同掺杂金刚石以及硼氮协同掺杂金刚石的合成和性能特征等方面的研究。通过表征合成样品在光学、电学方面的性能,探讨了不同掺杂添加剂对合成金刚石性能的影响,为合成高性能的半导体金刚石提供了思路。