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1.
自适应空间有源消声中误差传声器的位置及个数优化   总被引:6,自引:1,他引:5  
近年来对有源消声理论以及自适应有源消声技术的研究一直是相互独立着进行的,本文通过对自适应有源消声系统中误差传声器个数以及位置的优化选择,找到了它们两者之间的联系,并结合控制系统的性能特点给出了误差传声器个数及位置优化的方法,对影响自适应有源消声效果的因素做了分析讨论,实验验证了本文所得结论,并取得了良好的效果.  相似文献
2.
间接耦合机械结构之间的耦合损耗因子   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用双端口法推导了强耦合或相互处于振动波近场范围内的机械结构中间接耦合结构之间的耦合损耗因子的计算公式。用考虑了间接耦合损耗因子的修正统计能量分析的能量平衡方程预测了转动机械结构响应,预测结果与实验测量结果之间的一致性优于用经典统计能量分析法预测的振动响应。  相似文献
3.
负损耗因子的成因分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文根据双耦合系统的经典统计能量平衡方程分析了利用该方程进行SEA参数测量中产生负损耗因子的可能性;通过对双非保守耦合线性振子的振动分析,从理论上分析了负损耗因子形成的条件。结果证明:非保守强耦合是产生负损耗因子的必要条件;而测量频率带宽内不同时包含两振子的固有频率或两振子的参数存在较大差异是产生负损耗因子的充分条件。负损耗因子的绝对值随耦合参数的增大而增大。  相似文献
4.
多声源的自由场有源声吸收   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文利用声源辐射阻抗讨论了三维空间有源声吸收问题.推导出适用于任意初级声场条件下的多次级源最优复强度的一般表达式,并通过分析声源辐射阻抗的变化规律阐明了声吸收的机理.在此基础上,以两个点源在平面波声场中的声吸收为例,详细讨论了次级源吸收功率与两源位置的变化关系,并给出消声区域分布规律.最后在半消声室中获得了良好的实验效果,验证了所得结论.  相似文献
5.
指向性声源的自由空间有源消声   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文根据最小辐射声功率准则,推导了当初级源和次级源的声辐射均具有指向性时,次级源最优复强度的一般表达式.分析结果表明该式具有普遍性。文中最后讨论了几种典型和常见的声源结构有源消声的特点,给出了次级源最优复强度及消声前后辐射功率比的表达式。  相似文献
6.
最小二乘格形(LSL)自适应有源消声系统算法及实现   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为了提高单路有源消声系统的消声带宽,本文把具有收敛性能基本不依赖于输入这一优异特性的最小二乘格形(LSL)滤波器引入有源消声,并利用高速信号处理器TMS320C25实现滤波器功能,成功地建立了一套LSL自适应有源消声系统.实验表明,该系统对带宽为248Hz的宽带噪声能达到10-15dB(A)的抵消比,取得了较好的效果.  相似文献
7.
高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的;高场应力下,器件特性的退化随高场应力偏置电压的增加和应力时间的累积而增大;对于不同的栅应力,相对来说,脉冲栅应力和开态栅应力下器件特性的退化比关态栅应力下的退化大.对不同应力前后器件饱和漏电流,跨导峰值和阈值电压的分析表明,AlGaN势垒层陷阱俘获沟道热电子以及栅极电子在栅漏间电场的作用下填充虚栅中的表面态是这些不同应 关键词: AlGaN/GaN HEMT器件 表面态(虚栅) 势垒层陷阱 应力  相似文献
8.
基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.  相似文献
9.
通过实验和数值器件仿真研究了钝化GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)、栅场板GaN HEMTs和栅源双层场板GaN HEMTs电流崩塌现象的物理机理,建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度、陷阱电离率和电场的内在联系.研究结果表明,场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布,并可有效调制纵向电场的方向,减弱栅极附近电场强度,增加场板下方电场强度,这会减弱栅极附近自由电子的横向运动,增强场板下方自由电子的纵向运动,进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布,提高陷阱的电离率,减小器件的电流崩塌. 关键词: 电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率  相似文献
10.
王冲  冯倩  郝跃  万辉 《物理学报》2006,55(11):6085-6089
采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200—600℃ 5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.  相似文献
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