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1.
采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.  相似文献
2.
HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
在中波响应波段的p型Hg0.709Cd0.291Te(MCT)分子束外延生长薄膜上,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积(500μm×500μm)的n-op-p结.通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流-电压特性和对零偏微分电阻R0分析,观测到p-n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系.在另一片薄膜材料(镉组分值为0.2743)上通过该方法获得R0A优于现有常规数值的探测器单元.  相似文献
3.
GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α-GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究.通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率.计算结果,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一.同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模,(LPP)随掺杂浓度的变化.  相似文献
4.
研究了响应波长在15μm附近的超长波GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器在不同外加偏压下的光电流谱特性.光电流谱上的两个主要由于阱宽随机涨落而呈现为高斯线形的响应峰被分别指认为量子阱基态E0到第一激发态E1和第三激发态E3的跃迁.跃迁峰随着器件上外加偏压的增大而出现线性红移现象,认为这种变化起源于激发态与基态对量子阱结构中势变化敏感性的不同,采用传输矩阵方法并考虑到电子交互作用修正进行的理论计算在定量上解释了实验结果.  相似文献
5.
不同晶向SrTiO3上外延GaAs薄膜的光谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用MBE生长技术,成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜,利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明,在不同晶向SrTiO3上生长的GaAs薄膜有不同的晶向和应力状态。荧光光谱(PL)研究表明在SrTiO3(100)(111)晶面上生长的GaAs薄膜的PL峰发生明显的蓝移。研究表明在SrTiO3(110)面上生长的GaAs薄膜和体单晶基本上一致,有更好的光学质量。  相似文献
6.
7.
质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(5 00μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行 了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω ·cm2,低温热处理后达490Ω·cm2.  相似文献
8.
GaAs/SrTiO3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
报道了在钙钛矿型结构的SrTiO3衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的GaAs半导体单晶薄膜.应用光调制反射光谱和光荧光方法 ,研究了GaAs半导体薄膜的带间跃迁,并与通常的GaAs体材料特性进行了对比研究.结果表明,在钙钛矿型结构SrTiO3衬底上生长的GaAs单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性,在带间跃迁的弛豫上,外延薄膜相对体材料大了约5倍.  相似文献
9.
六卤化金属化合物晶体晶格非稳定性量子化学计算   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张家明  陆卫  沈学础 《物理学报》1995,44(11):1798-1804
将量子化学计算方法扩展应用于描述六卤化金属化合物的晶格非稳定性和不稳定方式的一些特点,得到一些有趣的结果,并与喇曼和布里渊散射的实验结果相比较.  相似文献
10.
研究发现棉酚3种异构体在CHCl3中同时存在着动态平衡,采用1H-lH COSY,1H-13C HMQC以及HMBC等2D NMR技术对这一新的现象进行了确证,并对它们的1H和13C NMR做了全归属.  相似文献
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