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1.
有界波EMP模拟器脉冲高压源   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
 介绍了“春雷号”有界波 EMP模拟器脉冲高压源的工作原理和其部件的结构及主要参数,给出了测试波形和计算波形。此脉冲高压源可输出前沿约为10ns,脉宽约为300ns的双指数脉冲波。  相似文献
2.
极紫外多层膜残余应力初步研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 针对极紫外多层膜在激光等离子体诊断、极紫外光刻等方面的应用,进行了Mo/Si多层膜残余应力的实验研究,讨论了多层膜残余应力的成因。实验结果表明:Mo单层膜表现为张应力, Si单层膜表现为压应力;通过传统方法制备的13.0 nm处高反射率的40对Mo/Si多层膜会产生-500 MPa左右的压应力,其压应力主要是由膜层之间的贯穿扩散引起的;通过改变膜层比率可以在一定程度上补偿因贯穿扩散产生的压应力,但是以牺牲多层膜反射率为代价。  相似文献
3.
We report on the use of very thin GaAsP insertion layers to improve the performance of an In GaAsP/InGaP/AIGaAs single quantum-well laser structure grown by metal organic chemical vapour deposition. Compared to the noninsertion structure, the full width at half maximum of photoluminescence spectrum of the insertion structure measured at room temperature is decreased from 47 to 38 nm indicating sharper interfaces. X-ray diffraction shows that the GaAsP insertion layers between AIGaAs and InGaP compensates for the compressive strain to improve the total interface. The laser performance of the insertion structure is significantly improved as compared with the counterpart without the insertion layers. The threshold current is decreased from 560 to 450 mA while the slope efficiency is increased from 0.61 to 0.7W/A and the output power is increased from 370 to 940mW. The slope efficiency improved is very high for the devices without coated facets. The improved laser performance is attributed to the suppression of indium carry-over due to the use of the GaAsP insertion layers.  相似文献
4.
用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4(x=1.25,1.33,1.60)多晶.X射线衍射结果表明样品没有杂项,且都是四方层状K2NiF4结构.电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为.对于x=1.25和1.33的样品,热电势为正值;而对于x=1.60的样品,热电势在60K发生了由正到负的转变.所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值,在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂,表明在低温下样品存在类自旋玻璃态.我们同时测量了x=1.25样品在110K到300K温区的电子自旋共振谱,发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争,强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化.  相似文献
5.
Yttria-stabilized zirconia (YSZ) is irradiated with 2.0-MeV Au2+ ions and 30-keV He+ ions. Three types of He, Au, Au + He (successively) ion irradiation are performed. The maximum damage level of a sequential dual ion beam implanted sample is smaller than single Au ion implanted sample. A comparable volume swelling is found in a sequential dual ion beam irradiated sample and it is also found in a single Au ion implanted sample. Both effects can be explained by the partial reorganization of the dislocation network into weakly damaged regions in the dual ion beam implanted YSZ. A vacancy-assisted helium trapping/diffusion mechanism in the dual ion beam irradiated condition is discussed. No phase transformation or amorphization behavior happens in all types of ion irradiated YSZ.  相似文献
6.
IHEP, China is constructing a 100 MeV/100 kW electron Linac for NSC KIPT, Ukraine. This linac will be used as the driver of a neutron source based on a subcritical assembly. In 2012, the injector part of the accelerator was pre-installed as a testing facility in the experimental hall #2 of IHEP. The injector beam and key hardware testing results met the design goal. Recently, the injector testing facility was disassembled and all of the components for the whole accelerator have been shipped to Ukraine from China by the ocean shipping. The installation of the whole machine in KIPT will be started in June, 2013. The construction progress, the design and testing results of the injector beam and key hardware are presented.  相似文献
7.
基于光栅衍射的转角法无需转动光管,与传统的转角法相比具有较高的测量效率。而微透镜阵列元件子单元数众多,利用该方法进行测量时,光栅的各级衍射斑可能发生干扰,影响测量精度甚至无法进行测量。利用Matlab软件模拟分析测量过程中子单元光栅0级和±1级衍射光斑间的干扰,通过分析测量光源波长、光栅周期、微透镜阵列的子孔径和焦距,选取合理的测量光源和光栅避免干扰,从而完成对微透镜阵列焦距的测量。测量结果表明,该方法具有较高的测量精度和测量效率,可用于单元数较多、F数较小的微透镜阵列焦距测量。  相似文献
8.
研究了一种用地基天顶光-天空光光谱数据反演大气NO2倾斜柱体密度的有效方法。利用该方法计算了同一方位不同倾角(10°~85°)下的倾斜柱体密度(在0.5~11×1016 molecule·cm^-2范围),以及同一倾角不同方位的NO2倾斜柱体密度(1016~1017molecule·cm^-2量级)。结果与实际大气状况有很好的相关性。不同方位及倾角的NO2倾斜柱体密度不同,体现出角空间分布特征。该方法中,由同一仪器同时采集天顶光光谱和其他方向的天空光光谱,提高了测量准确度。该方法有利于实时监测空间任意方向NO2的含量,尤其靠近地面的NO2局部污染,更适合多阴雨地区(在地面上很难采集到良好的直射太阳光谱)的污染监测。  相似文献
9.
对空间光混频器的90°相位差补偿的几种方法进行了比较分析,并在此基础之上提出了两种新方法.第一种方法采取旋转本振光支路的1/4波片来补偿相位差,旋转信号光支路的第一个1/2波片来调整I路与Q路分光比;第二种方法通过旋转本振光支路的1/2波片和1/4波片到计算出来的角度来实现预定的相位差和分光比.对两种方法进行仿真分析和系统实验.采用第一种方法时,1/4波片快轴与x轴的夹角在-10°~10°变化时,相位差补偿范围为-14°~29°,分光比在0.7~1.4范围内变化;当1/2波片的快轴与y轴的夹角在35°~55°变化时,分光比在0.47~2.1范围内变化.采用第二种方法求解出I/Q路相位差分别为80°、85°、90°、95°、100°,I/Q路分光比分别为0.5、0.75、1、1.5、2时,1/2波片的快轴和1/4波片的快轴的位置.采用这两种方法均可以简单而精确地实现设定的相位差和分光比,有利于光锁相环的相位锁定以及解调出的信号强度的提高.  相似文献
10.
正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种核谱学分析方法, 主要用于获取材料内部微观结构的分布信息, 特别是微观缺陷结构及其特性等传统表征方法难以获取的微观结构信息. 近年来, 在慢正电子束流技术快速发展的基础上, 正电子湮没谱学技术在薄膜材料表面和界面微观结构的研究中得到了广泛应用. 特别是该技术对空位型缺陷的高灵敏表征能力, 使其在金属/合金材料表面微观缺陷的形成机理、缺陷结构特性及其演化行为等研究方面具有独特的优势. 针对材料内部微观缺陷的形成、演化机理以及缺陷特性的研究, 如缺陷的微观结构、化学环境、电子密度和动量分布等, 正电子湮没谱学测量方法和表征分析技术已经发展成熟. 而能量连续可调的低能正电子束流, 进一步实现了薄膜材料表面微观结构深度分布信息的实验表征. 本文综述了慢正电子束流技术应用研究的最新进展, 主要围绕北京慢正电子束流装置在金属/合金材料微观缺陷的研究中对微观缺陷特性的表征和表面微观缺陷演化行为的应用研究成果展开论述.  相似文献
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