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1.
激光微加工技术以非接触加工方式,高效率、无污染、高精度、热影响区小的优点在微电子集成电路制造中得到了广泛应用.介绍了在集成电路制造封装中采用的激光微调、激光打孔、激光清洗、激光柔性布线和激光微焊技术.  相似文献
2.
曹宇  祝新运  陈翰博  王长刚  张鑫童  侯秉东  申明仁  周静 《物理学报》2018,67(24):247301-247301
采用wx-AMPS模拟软件对硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳电池进行建模仿真,将CdS,ZnO和SnO2的模型应用到Sb2Se3太阳电池的电子传输层中.结果显示,应用CdS和ZnO都能实现较高的器件性能,并发现电子传输层电子亲和势(χe-ETL)的变化能够调节Sb2Se3太阳电池内部的电场分布,是影响器件性能的关键参数之一.过高或者过低的χe-ETL都会使电池的填充因子降低,导致电池性能劣化.当χe-ETL为4.2 eV时,厚度为0.6 μm的Sb2Se3太阳电池取得了最优的7.87%的转换效率.应用优化好的器件模型,在不考虑Sb2Se3层缺陷态的理想情况下,厚度为3 μm的Sb2Se3太阳电池的转换效率可以达到16.55%(短路电流密度Jsc=34.88 mA/cm2、开路电压Voc=0.59 V、填充因子FF=80.40%).以上模拟结果表明,Sb2Se3薄膜太阳电池在简单的器件结构下就能够获得优异的光电性能,具有较高的应用潜力.  相似文献
3.
曹宇  薛磊  周静  王义军  倪牮  张建军 《物理学报》2016,65(14):146801-146801
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 制备了具有一定晶化率不同Ge 含量的氢化微晶硅锗 (μc-Si1-xGex:H)薄膜. 通过X射线荧光谱、拉曼光谱、X 射线衍射 谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试, 表征了μc-Si1-xGex:H的材料微结构随Ge含量的演变. 研究表明: 提高Ge含量可以增强μc-Si1-xGex:H薄膜的吸收系数. 将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度 (Jsc). 特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下, 长波响应的提高会更为显著. 应用ZnO衬底后, 在Ge含量分别为9%和27%时, μc-Si1-xGex:H太阳电池的转换效率均超过了7%. 最后, 将μc-Si1-xGex:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中, 发现μc-Si0.73Ge0.27:H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm 厚微晶硅 (μc-Si:H) 底电池更高的长波响应. 以上结果体现了μc-Si1-xGex:H 太阳电池作为高效近红外光吸收层, 在硅基薄膜太阳电池中应用的前景.  相似文献
4.
曹宇  张建军  严干贵  倪牮  李天微  黄振华  赵颖 《物理学报》2014,63(7):76801-076801
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,使用SiH4加GeH4的反应气源组合生长微晶硅锗(μc-Si1-xGex:H)薄膜. 研究了电极间距对μc-Si1-xGex:H薄膜结构特性的影响. 发现薄膜中的Ge含量随电极间距的降低逐渐增加. 当电极间距降至7 mm时,μc-Si1-xGex:H薄膜具有较大的晶粒尺寸并呈现较强的(220)择优取向,同时具有较低的微结构因子. 通过薄膜结构特性的变化分析了反应气源的分解状态,认为Ge含量的提高主要是SiH4的分解率降低所导致的. 在较窄的电极间距(7 mm)下,等离子体中GeH3基团的比例较大,增强了Ge前驱物的扩散能力,使μc-Si1-xGex:H薄膜的质量得到提高. 关键词: 微晶硅锗 电极间距 滞留时间 射频等离子体增强化学气相沉积  相似文献
5.
曹宇  张建军*  李天微  黄振华  马峻  倪牮  耿新华  赵颖 《物理学报》2013,62(3):36102-036102
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术, 研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响, 提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层. 优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性, 而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布, 使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高. 采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结叠层电池转换效率达到了9.54%.  相似文献
6.
曹宇  杨士莪 《应用声学》2010,29(2):100-108
根据水平分层介质的物理模型,分别以追求单一频率条件和给定频段条件下反射系数最小为目标,利用遗传算法对不同组合方式的水平分层介质的参数进行了优化。利用遗传算法的随机搜索特性,得到多组不同的物理参数。利用这些参数,对反射系数与结构及材料参数的依赖关系进行了分析。计算了分层结构中每一层的吸收贡献率,提出了阻抗比系数的概念。通过对比,分析了在不同频率条件下,不同水平分层结构对垂直入射平面波的吸收机理。对利用水平分层复合结构材料制作吸声障板可能达到的指标做了进一步的分析。结果表明,为得到较大的吸收系数,不同层间的阻抗比系数必须保持一定关系。  相似文献
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