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1.
Pd对O吸附在ZnO(0001)面上的影响的第一性原理研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
本文用第一性原理方法计算了Pd 在ZnO(0001)面上的吸附、Pd对O吸附的影响及Pd替代表面Zn原子能量的变化.结果表明:(1) Pd的吸附位置不随覆盖度变化,Pd稳定吸附位为H3位;(2)Pd在1/4单层吸附时比1个单层吸附时稳定;(3)Pd的存在增强了氧在ZnO(0001)面上的吸附,O原子可以扩散到Pd吸附层的下,Pd处于最上面, 具有催化作用.  相似文献
2.
The diffusion of N adatoms on a Ga-rich GaN(O001) surface has been studied using density-functional theory.The configuration of Ga adatoms on a Ga-rich GaN surface has been identified. The first adlayer Ga adatoms are on top of the terminating substrate Ga atoms, and the outmost adlayer Ga adatoms exist randomly at the T4 or H3 sites. A very different diffusivity of N adatoms on a Ga-rich GaN(0001) surface has been found. The excess Ga adatoms on a GaN(0001) surface reduce the diffusion barrier by 0.75eV and influence the migration path. It seems that bilayer Ga adatoms are helpful for N atom diffusion.  相似文献
3.
4.
本文研究了La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3结构、磁性、电输运等.特别是研究了La0.8Na0.2MnO3的内耗特性.XRD研究发现La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3的结构均为R3C,但是不同的是对于La1-xAgxMnO3,当x>0.25时有Ag单质吸出.从磁化强度随温度的变化看出所有的样品都在室温或室温以上有顺磁到铁磁的转变,而且随着掺杂量的增加,居里温度也在增加.电输运研究发现对于La1-xNaxMnO3,x=0.15的电阻率最小,随掺杂量增大电阻率增大;x≥0.15的样品中存在电阻双峰.而对于La1-xAgxMnO3电阻率随掺杂量增加而减小;x<0.2的样品中存在电阻双峰.在La0.8Na0.2MnO3的内耗测量中发现了具有相变峰特征的内耗双峰.我们认为这种电阻双峰和内耗双峰来源于样品中存在A位空位,导致了样品中存在电子相和磁相的不均匀,即相分离.就是在样品存在着铁磁相和反铁磁相共存.  相似文献
5.
利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.  相似文献
6.
The third-order nonlinear intersubband optical absorption coefficient within the con-duction band of semiconductor superlattices with complex bases have been calculated using the density matrix formalism including intrasubband and intersubband relaxation. The sub-band dipole moments zij(k) and zii(k) are first studied in superlattices with complex bases including a general coupled-well basis and a general step-well basis. The results show that zij(k) and zii(k) are complicated functions of and strongly depends on the well parameters. The intersubband transition optical absorption coefficient α(ω,I) is further studied. The numerical illustrations are also given.  相似文献
7.
研究了Y(1-x)CaxBa2CU3O8(x=0.00—0.15)超导体系的正电子寿命谱,计算了局域电子密度ne和空位浓度Cv随替代含量x的变化,发现了存在于x=0.1附近的峰值响应,讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关联.  相似文献
8.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了单个CO 和O2气体分子在金属原子修饰石墨烯表面的吸附和反应过程. 结果表明: 空位缺陷结构的石墨烯能够提高金属原子的稳定性, 金属原子掺杂的石墨烯体系能够调控气体分子的吸附特性. 通入混合的CO和O2作为反应气体, 石墨烯表面容易被吸附性更强的O2分子占据, 进而防止催化剂的CO 中毒. 此外, 对比分析两种催化机理(Langmuir-Hinshelwood和Eley-Rideal)对CO氧化反应的影响. 与其它金属原子相比, Al原子掺杂的石墨烯体系具有极低的反应势垒(< 0.4 eV), 更有助于CO氧化反应的迅速进行.  相似文献
9.
本文利用第一原理方法计算了空位缺陷和硼(B)掺杂时对Pt在graphene上吸附的影响.结果表明:Pt在graphene上吸附的稳定位置是Pt吸附在桥位;悬挂键的存在极大的增强了Pt在graphene空位处的吸附;B替位掺杂有利于Pt原子在杂质附近的吸附.  相似文献
10.
The structures of Pt clusters on nitrogen-,boron-,silicon-doped graphenes are theoretically studied using densityfunctional theory.These dopants(nitrogen,boron and silicon) each do not induce a local curvature in the graphene and the doped graphenes all retain their planar form.The formation energy of the silicon-graphene system is lower than those of the nitrogen-,boron-doped graphenes,indicating that the silicon atom is easier to incorporate into the graphene.All the substitutional impurities enhance the interaction between the Pt atom and the graphene.The adsorption energy of a Pt adsorbed on the silicon-doped graphene is much higher than those on the nitrogen-and boron-doped graphenes.The doped silicon atom can provide more charges to enhance the Pt-graphene interaction and the formation of Pt clusters each with a large size.The stable structures of Pt clusters on the doped-graphenes are dimeric,triangle and tetrahedron with the increase of the Pt coverage.Of all the studied structures,the tetrahedron is the most stable cluster which has the least influence on the planar surface of doped-graphene.  相似文献
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