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通过研究用自组装法制备的萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺(苯胺与萘磺酸的摩尔比分别为1∶025,1∶05,1∶1,1∶2,1∶3)的电阻率温度依赖关系(测量温区为80—300K),仔细分析聚苯胺的结构形貌特征,提出了变程跳跃隧道穿透混合模型:认为在萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺样品中,跳跃和隧穿两种机制同时起作用,载流子沿纳米管传导是变程跳跃过程起主要作用,而载流子在纳米管之间的传导是隧穿过程起主要作用.实验结果表明,不同浓度的萘磺酸掺杂对样品的低温电阻率的影响很大,随着掺杂浓度增加,载流子传导所需克服的能垒C0迅速减小,当掺杂接近饱和时,C0不再减小.实验中还研究了不同形貌对电阻率的影响,结果表明样品中纳米管所占比例的增大有利于载流子传导
关键词:
聚苯胺
纳米管
低温电阻率 相似文献
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研究了水和无水乙醇对萘磺酸掺杂的纳米管结构聚苯胺的电阻率-温度依赖关系的影响(测量温区为80—300K).实验结果表明,水分子和乙醇分子的进入均使样品的电导率升高.利用电荷能量限制隧道模型结合纳米管粉末压片的结构特点,认为样品电阻主要来源于纳米管间接触电阻.水或乙醇分子在纳米管聚苯胺中通过与分子链的相互作用,增加了链间与链上非局域化载流子的数量,增大管间接触界面,降低了载流子的隧穿势垒,进而提高了导电能力.但水和乙醇对样品导电性质影响程度是不同的,主要是因为水分子和乙醇分子在结构和物理化学性质上的不同.
关键词:
聚苯胺
纳米管
电阻率 相似文献
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研究了La2-xSrxCu1-yFeyO4(x=0.13,0.15,0.17和y=0.0,0.002,0.004,0.006)多晶样品在不同磁场下(H=1,3和5T)正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.结果表明,不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为.随着Fe掺杂量的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度随Fe掺杂含量的变化而变化.这表明载流子浓度是影响超导的重要因素.对Fe掺杂样品,其正常态直流磁化率与温度的关系可以用X=a+bT+c/(T-T0)很好的表示.我们认为,其中a+bT项是带Pauli顺磁的贡献.对同一掺Fe样品,增加外磁场时,居里常数c增大而常数项a减小.这是由于在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbard带),它是导致居里顺磁的原因.增加磁场时它往高能方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的杂化带,导致每个Cu离子的磁矩增大,而带的Fermi面电子态度减小.我们的实验结果也表明,超导电性与能带结构密切相关. 相似文献
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用SQUID直流磁强计研究了La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-x)FexO(4-y)(x=0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.实验结果表明,不掺Fe的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为,随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0.002),然后再单调降低.这清楚地表明,载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Fe的样品,其正常态直流磁化率X与温度T的关系可以用X=a+bT+c/(T一T0)很好地表示.我们认为,式中a+bT项是由于Cud带泡利硕磁的贡献.增加磁场时,对于同一个接Fe样品,居里常数C增大而常数项a减小.这是由于掺Fe的样品在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbrd带),它是产生居里硕磁的原因.增加磁场时,它往高能量方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的Cu杂化带.这样一来,增加磁场时,每个Cu离子的磁矩增大.而Cud带的Fe 相似文献
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A high-Tc superconducting array microbolometer has been fabricated by using a YBCO film. Optical measurements gave moderate performance as individual detector, but singnificant improverment appears possible. 相似文献
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报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=0.01,0.02)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0.005,0.010)薄膜的电阻率-温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH (T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率-温度特性定义的赝能隙打开的温度T*分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率-温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T 0,介于Tc与T*之间,这一特征温度与核磁共振(NMR)给出的赝能隙打开温度相近,说明可能源于电子自旋自由度上的能隙打开.在室温到Tc范围内,电阻率-温度特性和Hall效应分别定义了两类不同的转变温度(T*和T 0),可能分别源于电子电荷和自旋通道上的赝能隙的打开,预示着电荷和自旋自由度分别进入某种基态. 相似文献