中子非弹性散射对Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)旋声性的研究

通过用中子非弹性散射测量旋声晶体高对称方向的横声学支声子色散曲线的劈裂,从三个方面研究了同构异质晶体Bi_(12)GeO_(20)和Bi_(12)SiO_(20)的旋声特性。值得注意的是,沿〈111〉方向传播的左旋、右旋圆偏振声子具有不同的衰减。其中传播速度快的圆偏振声子衰减较大,该结论为这两种晶体所证实,这是在晶体旋声性研究中首次观察到的现象。实验还直接确定了衰减较大的这支声子的寿命约为2×10~(-11)S。     

压电陶质钛酸钡矩形薄板轮廓模耦合振动的研究

引言 一定形状和大小的压电元件,有它特定的若干个不同的振动模,这些模往往不独立,而是彼此发生耦合的,这使振动特性变得相当复杂。为了探索耦合振动的机理,我们研究了压电陶质钛酸钡矩形薄板轮廓模耦合振动的特性。对于这个问题,Hayashi和田中哲郎等人曾作过研究,但他们的理论只能分析耦合共振频率,而不能分析耦合反共振频率和耦合导纳的频率响应特性。为此,在他们的工作基础上我们提出了一个新的等效电路,它不但可以分析耦合共振频率,而且可以分析耦合反共振频率和耦合导纳的频率响应特性。     

超声显微镜的发展

一、引言 许多物体虽然不能透光但能透声,对此早就有人考虑利用声代替光来观察物体的细小结构,卅多年前Sokolov提出超声显微镜这一设想。光的散射是基于物质折射率的差异,声的散射则基于弹性性质的不同。声的波长决定了分辨率,为了获得几个μm的分辨率,便需要用几百MHz的超高频超声波。声全息技术的研究成功,特别是水面声全息像的激光扫描实时     

碘酸锂晶体全部电弹常数的测量

本文探讨了碘酸锂晶体(α-LiIO₃,简称LI)全部电弹常数的测试方法。以压电板厚度振动模理论,推导出LI晶体独立电弹常数计算公式。对无压电耦合的弹性常数C₁₁^E和C₆₆^E,采用了声光同步测速法进行测量。最后,测量给出了LI晶体全部电弹常数和一些机电耦合系数共52个数据。     

1979年国际超声会议简介

1979年国际超声会议(Ultrasonics international 79,简称UI79)于5月15日至18日在奥地利的格拉兹(Graz)召开。以应崇福教授为团长的中国科学院声学研究所代表团三人参加了这次会议。代表团报名已晚,书面提交了论文两篇。     

中子非弹性散射对Bi12GeO20和Bi12SiO20旋声性的研究

通过用中子非弹性散射测量旋声晶体高对称方向的横声学支声子色散曲线的劈裂,从三个方面研究了同构异质晶体Bi₁₂GeO₂₀和Bi₁₂SiO₂₀的旋声特性。值得注意的是,沿〈111〉方向传播的左旋、右旋圆偏振声子具有不同的衰减。其中传播速度快的圆偏振声子衰减较大,该结论为这两种晶体所证实,这是在晶体旋声性研究中首次观察到的现象。实验还直接确定了衰减较大的这支声子的寿命约为2×10^-11S。 关键词：     

铌酸锂大单晶的生长及其性能

用直拉法沿[0001]方向和(1014)晶面法线方向从熔体中提拉生长成功直径100毫米,高50毫米的铌酸锂单晶,测试表明,大单晶的压弹介性能与通常的铌酸锂一样,并具有较好的均匀性。 关键词：     

压电陶瓷泊松比的测定

固体的泊松比是一个很重要的弹性常数.对于压电陶瓷,在测定它的压电性能和弹性性能时,通常是将材料做成薄圆片子,然后利用径向振动来测算S_(11)~E,K_p,d_(31)等等基本物理常数,而这些常数的计算公式中都包含着泊松比σ这个量.因此,要测定这些常数,有必要先测准σ.随着新压电陶瓷的不断出现,特别是锆酸钛酸铅类陶瓷的出现,泊松比已超过0.350 ,根据我们目前了解,还有达0.420的.这样,如果对σ只作随便估计,则对于S_(11)~E,K_p,d_(31)等量有可能引起甚至大于10％的误差.测定σ的方法很多,但是在目前问题中,重要的是如何从薄圆片子本身准确测出σ值来.     

Bi_(12)GeO_(20)的旋光性和法拉第效应

在4300～8000(?)波长范围研究了Bi_(12)GeO_(20)的旋光性和法拉第效应.分析表明,锗酸铋的旋光频散特性可以用Drude的分子旋光模型来描述.它的较强的法拉第效应使它有可能用于光学非互易器件或偏振旋转器中.     

螺旋晶体

本文报道关于铌酸锂螺旋晶体的实验事实。这种螺旋晶体就像一根具有一定取向的直晶棒被弯曲盘卷在一个圆柱面上,它不是自发地而是受人工控制形成的。文中并就此螺旋晶体作了一些讨论。