Electrical Resistance Measurement of an Individual Carbon Nanotube

Aiming at the difficulty in the electrical resistance measurement, we develop a simple statistical model for the carbon nanotubes adequately dispersed in available insulated liquid and introduce the concept of “the most probability”. Based on this model, we obtain the function between macroscopic resistance R and resistance of an individual nanotube, Ro, from which one can calculate the resistance of an individual nanotube by measuring the macroscopic resistance. By computational simulation, we prove the reliability of the model. Then, we analyse the feasibility of the model when applied to experiment.     

无限深球方势阱中粒子能级的一个简单近似解析式

本由ＷＫＢ方法和玻尔－索末菲量子化规则，求出了无限深球方势阱中粒子能级近似满足的超越方程；然后通过进一步近似，找到了粒子能级近似满足的解析式并对所得结果的精度进行了计算机分析。     

类椭球氧化锌纳米结构的制备与表征

"用普通氧化锌晶须作为原材料, 采用高压釜腐蚀法和高温(600 ℃)裂解结合的方法合成纳米棒构成的氧化锌类椭球结构．XRD、SEM和TEM结果表明这种类椭球结构是单晶的,纳米棒取向一致,自组装生长而成．"     

在金属基片上激光沉积YBCO超导薄膜

介绍了在金属基片上激光沉积缓冲层和ＹＢａ２Ｃｕ３ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜的研究结果。在带ｙｔｔｒｉａ－ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ－ｚｉｒｃｏｎｉａ（ＹＳＺ）缓冲层的ＮｉＣｒ合金基片上,激光原位沉积出ＹＢＣＯ超导薄膜,薄膜的零电阻转变温度度４８Ｋ,７７Ｋ时临界电流密度约为２００Ａ／ｃｍ＾２;缓冲层的取向可以通过选择适当的沉积参数来改善;用扫描隧道电子显微镜对ＹＢＣＯ薄膜的微观结构分析表明：完善的螺     

多孔氧化铝模板制备ZnS纳米线阵列及其光致发光谱

利用阳极氧化铝（AAO）模板,采用电化学沉积方法制备出了ZnS纳米线阵列。扫描电子显微镜（SEM）结果显示,AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致（约50nm）,孔口呈六边形。TEM结果显示硫化锌纳米线的直径约50nm（与AAM模板孔径一致）,长度约为20μm（与AAM模板厚度一致）。电子衍射结果表明ZnS纳米线为多晶结构。比较了AAO模板组装ZnS纳米线阵列前后的光致发光谱,所得光谱显示,组装了ZnS纳米线阵列的模板的光致发光谱比没有组装的空模板相比多出两个发射峰,分别位于409,430nm,且其发光强度随激发波长的增长而增强。解谱分析表明,这即为ZnS纳米线阵列的发光光谱的两个发射峰,是由导带与受主能级间的跃迁发光和施主与受主能级间的复合跃迁发光共同作用所致。发现由于纳米线尺寸的单一性,发射峰窄化明显,半峰全宽较小,这种现象在其他文献中未曾报道过。     

富硅a-SiOxNy：H薄膜的电致发光特性

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积方法制备富硅氮氧化硅(a-SiO_0.35N_0.59:H)薄膜,以这层薄膜作为有源层构建发光二极管。实验结果表明器件在室温下可观测到强的电致红光发射,发光峰在715 nm附近,与其光致发光峰位一致。电致发光谱测量还表明器件开启电压为8 V,器件的电致发光强度随注入电流的增大呈线性递增关系。电流-电压特性分析表明器件的载流子输运机制以Pool-Frenkel(P-F)发射模型为主。结合发光有源层的微结构分析,初步认为电致红光发射来自于电子和空穴通过有源层的带尾态的辐射复合。     

基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究

利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光.在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上.     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：     

用激子动力学方法研究N吸附子扫描隧道显微镜系统图谱解释

应用激子动力学方法描述扫描隧道显微镜(STM)隧道中电子运动的动力学行为新方案,推导得到了N吸附子STM系统纯相干记忆函数与时间无关时隧道电流与探针空间位置之间的一般关系式,讨论了公式的应用范围,并作为应用,具体计算了Dimer模型STM系统AU(110)2×1和3×1再构表面STM图谱,其结果与实验及其它理论符合得很好.     

聚乙烯醇用于碳纳米管的开口及修饰研究

在低温(250 ℃)下,用聚乙烯醇(polyvinyl alcohol, PVA)和提纯后的碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)的混合物在空气中加热,以研究聚乙烯醇对碳纳米管的修饰作用,并采用TEM对不同条件下所得的产物进行了形态分析.结果发现,碳纳米管的顶端被打开,随着时间的增加,弯曲的碳纳米管断裂成较短的碳纳米管.聚乙烯醇对碳纳米管的氧化及修饰在实验中得到证实.讨论分析了氧化和修饰机理,认为可能是聚乙烯醇在空气中分解所得的产物的一种或几种在氧化和修饰过程中起主要作用.