硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积，并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４，温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成，其峰值分别位于３１２ｎｍ，３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带，经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔH_pp为(40—42)×10^-4T,ESR密度Nss为10¹⁷cm^-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH_{关键词： 纳米硅薄膜 微结构 电子自旋共振}     

铝的多孔阳极氧化自组织过程结晶度依赖特性

电子束蒸发在硅衬底上的多晶铝膜多孔型阳极氧化得到的多孔列阵排布与体材料单晶铝氧化前序度存在很大差异,导致这种差异的原因,除了氧化时间,应用电压、电解液等电化学参数外,新引入的结晶度将作为一重要因数影响自组织过程,结晶度的影响主要反映在晶粒间界区域相比于晶粒内部存在的铝原子浓度和阳极氧化反应速度涨落,这种涨落将干扰孔底电场的分布,对自组织过程产生微扰,由于微扰具有实时和随机性质,将使铝膜阳极氧化不再     

两步浸渍法制备发光多孔硅及NO2的作用

用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO₂的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。     

硅基多孔氧化铝模板非水电沉积CdS纳米线的研究

纳米材料,包括尺寸为纳米量级的超细微粒?线?薄膜?量子阱和超晶格等引起了人们广泛的重视 [1,2] ?其中 , 半导体纳米微粒和由其构成的纳米固体结构开辟了材料科学研究的新领域?硫化镉 (CdS) 作为一种重要的Ⅱ - Ⅵ族无机半导体材料 , 具有独特的光电性质 , 在光电化学电池和多相光催化反应中都有广泛应用?近年来 , 已有大量关于合成 CdS 纳米结构的文献报导 [3～12] , 所采用的方法如反胶束法?单分子膜法?自组装法以及电化学沉积法等 , 其中非水电解与模板技术相结合的制备方法引起了人们高度的重视并且被广泛的采用?自从 Baranski 等在上…     

INFLUENCE OF C+-IMPLANTATION DOSE ON BLUE EMISSION AND MICROSTRUCTURES OF Si-BASED POROUS β-SIC

Crystal Si were implanted with different doses of C⁺ from 10¹¹ to 10¹⁷ cm^-2 at an energy of 50 keV. β-SiC precipitates were formed by thermal annealing at 1050 ℃ for 1 h and porous structures were prepared by electrochemical anodization. Under the excitation of ultraviolet, the samples, with C⁺ dose ≥10¹⁵ cm^-2 have intense blue emission which is stronger than the photoluminescence (PL) intensity of reference porous silicon (PS), and increases as C⁺ dose increases; the samples with C⁺ dose ≤10¹⁴ cm^-2 show similar PL spectra to those of PS. The blue peak intensity in PL spectra is correlated with the TO phonon absorption strength of β-SiC in infrared absorption spectra. The transmission electron microscopy study shows that the blue peak is also correlated with the microstructures. Because porous β-SiC is nanometer in size, it is suggested that the quantum confinement effect be responsible for the blue light emission.     

不同形态MEH-PPV的构象及其光学特性

通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH—PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响。在THF稀溶液中,MEH—PPV分子链基本上皆为分立态;在MEH—PPV薄膜中,分子链基本上皆为聚集态;在MEH-PPV／PS固溶体中,MEH—PPV分子链为聚集态和分立态两构象并存,聚集态的比例随MEH-PPV浓度的增加而升高;在多孔氧化铝模板纳米孔中,MEH—PPV分子链形成链束。分立态、聚集态和链束这三种不同构象的分子链具有不同的电子能带结构和光学性质。     

硅基发光材料研究进展

微电子技术是高技术中的关键技术，硅是微电子技术的基础材料，但是硅是一种非发光材料，为了发展光电集成技术，必须大力发展硅基发光材料，多孔硅是一种有希望的硅基发光材料，它表明纳米晶粒中的量子限制效应对光发射是极有效的，随之涌现出一系列量子限制硅基发光材料，为发展光电子集成提供了新的途径。     

新型硅基蓝光材料—多孔β—SiC

硅基蓝光发射是集成化全色固态显示和光电子集成的基础材料，是发光材料研究的前沿课题。利用离子注入技术，将碳离子注入到硅中，直接形成硅基纳β－ＳｉＣ，多孔化后，由于量子限制效应，它将发射稳定的蓝光，并且可以直接制成发光图形，这是一种具有极好应用前景的硅基蓝光发射材料。