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1.
A unified charge-based model for fully depleted silicon-on-insulator (SOI) metal–oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is presented. The proposed model is accurate and applicable from intrinsic to heavily doped channels with various structure parameters. The framework starts from the one-dimensional Poisson–Boltzmann equa- tion, and based on the full depletion approximation, an accurate inversion charge density equation is obtained. With the inversion charge density solution, the unified drain current expression is derived, and a unified terminal charge and intrinsic capacitance model is also derived in the quasi-static case. The validity and accuracy of the presented analytic model is proved by numerical simulations.  相似文献   
2.
本文采用激光脉冲沉积(pulsed laser deposition,PLD)方法在NdGaO3(110)(NGO)和(LaAlO_3)_(0.3)(Sr_2AlTaO_6)_(0.7)(001)(LSAT)衬底上生长了厚度变化的钙钛矿结构CaIrO3(CIO)单晶薄膜.在这一体系中,我们观测到了金属绝缘转变现象以及各向异性电输运行为,并且尝试利用应变弛豫调节铱氧八面体绕[100]轴的扭转角度,改变金属绝缘转变温度(TMI).八面体的扭转角度在30nm厚的样品中取得了最大值,同时CIO的TMI取得了最小值.我们推测是八面体的扭转影响了CIO薄膜的带隙宽度,从而造成了TMI的变化以及各向异性电输运行为.  相似文献   
3.
基于冠层光谱的水稻穗颈瘟病害程度预测模型   总被引:2,自引:0,他引:2  
对水稻稻瘟病病害程度的定量预测是精准防控的关键,田间冠层尺度的研究可为高光谱传感器提供理论基础。以受穗颈瘟胁迫的水稻为研究对象,采用SVC HR768i型光谱辐射仪在大田中获取灌浆期两个不同时间段的水稻冠层光谱反射率,以水稻发病株数百分比作为病害严重程度指标。冠层光谱数据采用九点平滑预处理,并重采样为1 nm间隔,计算植被指数;经过去包络线和一阶导数光谱变换,提取高光谱特征参数。分析不同时间段的光谱变换、植被指数、高光谱特征参数与病害程度的相关关系,构建基于植被指数、高光谱特征参数的穗颈瘟病害程度随机森林预测模型,并对比分析两个单时期预测模型异同,优选共用输入量,构建出两时期混合数据的病害程度预测模型。结果表明:(1)原始光谱曲线经去包络线处理可有效增强与病害程度相关的光谱信息,近红外波段(960~1 050和1 150~1 280 nm)的相关系数在0.80以上;(2)高光谱特征参数与病害程度相关性分析中,去包络线吸收谷参数相关系数高于其他参数,吸收谷V3(910~1 100 nm)、吸收谷V4(1 100~1 300 nm)中面积(A3A4)、深度(DP3DP4)、斜率(SL4SR4)的相关系数在0.74以上;(3)去包络线吸收谷参数结合随机森林模型预测穗颈瘟病害程度在单时期及两时期混合数据中均表现最好。灌浆期后期数据预测效果最佳,验证集决定系数R2=0.91,均方根误差RMSE=0.02;(4)两时期混合数据预测精度处于两个单时期预测精度之间,验证集决定系数R2=0.85、均方根误差RMSE=0.03。研究成果揭示了灌浆期不同时间段水稻穗颈瘟光谱响应机制,表明去包络线吸收谷参数结合随机森林模型预测稻瘟病的实用性,可为田间水稻穗颈瘟病害程度进行快速、精确、无损地定量预测,为精准施药提供理论依据,并对未来航空、航天遥感的病害监测提供一定的技术支持。  相似文献   
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