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1.
本文对CH_3NH_3PbI_3钙钛矿层与Ag电极之间的界面降解和离子迁移过程进行了全面地研究.利用原位光电子能谱检测于段,发现了Ag电极会诱导钙钛矿层的降解,导致PbI_2和AgI物种的形成以及Pb~(2+)离子在界面处还原成金属Pb物种.I 3d谱峰强度的反常增强为碘离子从CH_3NH_3PbI_3下表面迁移到Ag电极提供了直接的实验证据.此外,Ag电极和钙钛矿层接触会在CH_3NH_3PbI_3/Ag界面处诱导0.3 eV的界面偶极,这可能进一步促进碘离子扩散迁移,导致钙钛矿层的分解和Ag电极的侵蚀.  相似文献   
2.
基于共轭聚合物光电器件的性能与聚合物的表面形貌、分子取向、以及与金属电极形成的界面结构密切相关. 本文利用原子力显微镜(AFM)、同步辐射光电子能谱(SRPES)和近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)等, 研究了聚(9, 9-二辛基芴并苯噻二唑)(F8BT)薄膜的表面形貌、分子取向及其与Al 电极形成界面过程的结构变化. 结果表明, 在略低于F8BT玻璃转变温度(Tg=130 ℃)条件下对F8BT薄膜进行退火, 可明显增加薄膜的表面粗糙度, 薄膜中F8BT 的分子取向角约为49°, 9, 9-二辛基芴单元(F8)与苯噻唑单元(BT)几乎在同一平面. 在Al/F8BT 界面形成过程中, Al与F8BT中的C, N和S均发生不同程度的化学反应, 并导致价带结构和未占据分子轨道(LUMO)态密度的变化. Al对F8BT进行n型掺杂引起F8BT能带弯曲的同时, 未占据能级被部分占据, 更多的电子将被注入到LUMO+1中. 通过考察价带电子结构、芯能级位移及二次截止边的变化, 绘制了清晰的Al/F8BT界面能级图.  相似文献   
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