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采用电沉积的方法在多孔氧化铝模板中合成了直径为30 nm且沿着[0112]方向生长的单晶铋纳米线,测量了纳米线电导随着温度78～320 K变化的关系曲线. 结果发现,其半金属半导体转变的温度为230 K,且纳米线的电导有很强的温度依赖性.  相似文献   
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