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本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据. 相似文献
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在室温下通过氧化还原反应制备了AgCuSe三元纳米棒.用X射线粉末衍射、透射电镜和X射线光电子能谱对产物进行了表征.X射线粉末衍射结果表明,产物是四方相AgCuSe;透射电镜结果表明,产物是纳米棒,其直径为5~20nm,长度为200~600nm;X射线光电子能谱结果表明,产物的纯度是很高的,没有单质Ag、Cu等杂质.应用化学热力学原理讨论了产物AgCuSe的生成机理.热力学计算表明,在这个反应体系中最终产物是纯AgCuSe.溶剂乙二胺不仅作为双齿配体与Ag+和Cu+形成稳定的配合物,而且还能溶解金属硒、增强硒的反应性,乙二胺在控制AgCuSe的成核和纳米棒的生长过程中起着重要的作用. 相似文献
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Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性 总被引:1,自引:0,他引:1
测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。 相似文献
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本文通过高温X射线衍射、差热分析(DTA)和非晶态的结晶等手段系统地研究了Bi系超导材料的成相规律。观察到了Bi系中2201,2212和2223相之间的相互转变,解释了2201,2212和2223相共生的原因。在2223相的形成过程中,2212相与Ca_2CuO_3相存在成分平衡以及2212,Ca_2CuO_3和2223相之间热力学稳定的竞争,这也是2223相难以制备的原因。掺Pb的主要作用是以Ca_2PbO_4代替Ca_2CuO_3,从而避免了上述的成分平衡和热力学稳定的竞争。 相似文献
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