例析Matlab融入电磁学教学课堂

1引言目前,在我国许多大学、中小学都已普及了以电子教案为基体、计算机为主体的多媒体教学.教师们大量地采用自编的或公开出版的电子教案教学,与传统的"粉笔黑板"式的教学相比,有多方面的优越性,但多以Powerpoint为主,     

将优秀科幻作品融入大学课堂

优秀的科幻作品是以科学为基础,富有吸引人的情节并对未来某些现象具有预示作用,能引发读者的思考与想像的作品．通过对这类作品特点的分析,本文提出将其引入大学课堂,可以起到增强学生求知欲和探索欲以及培养他们想像力和创造力的目的,并在个别科目如“大学物理”教学实践中初获成效．     

退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响

采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射。随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低。对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨。     

通过机器学习实现基于摩擦纳米发电机的自驱动智能传感及其应用

在物联网时代,如何开发一种可持续供电、部署方便且使用灵活的智能传感器系统成为了亟待解决的难题..以麦克斯韦位移电流作为驱动力的摩擦纳米发电机(triboelectric nanogenerator,TENG)可直接将机械刺激转化为电信号,因此可作为自驱动传感器使用.基于TENG的传感器拥有结构简单、瞬时功率密度高等优点,为构建智能传感器系统提供了重要手段.同时,机器学习作为一种成本低、开发周期短、数据处理能力和预测能力强的技术,对TENG产生的大量电学信号处理效果显著.本文梳理了基于TENG的传感器系统通过采用机器学习技术进行信号处理和智能识别的最新研究进展,从交通安全、环境监测、信息安全、人机交互和健康运动检测等角度出发,概述了该研究方向的技术特点与研究现状.最后,深入讨论了该领域当前存在的挑战和未来的发展趋势,并分析了未来如何改进以期开拓更广阔的应用空间.我们相信机器学习技术与TENG传感器的结合将推动未来智能传感器网络的快速发展.     

Temperature-Dependent Raman Spectrum of Hexagonal YMnO3 Films Synthesized by Chemical Solution Method

We study the temperature-dependent Raman spectrum of hexagonal YMnO3 films prepared by a chemical solution method. There are seven Raman peaks （3A1 ＋ E1 ＋ 4E2） of the film identified at room temperature. From the results of temperature dependence of the Raman spectrum, it is deduced that the YMnO3 film has a magnetic phase transition temperature of about 123K. The temperature variation phonon mode at 685cm^-1 shows an anomalous frequency variation near 123 K, suggesting either a more complex mechanism of spin-phonon coupling or strong mixing of phonon modes. The reason for the higher antiferromagnetic Néel temperature TN of the film than that of the bulk counterpart is also discussed.     

六方YMnO3多铁性薄膜的制备与性质研究进展

六方YMnO3是一种集铁电性与反铁磁性于一体的新材料,具有丰富的物理内容和优良的应用前景.本文综述了近年来六方YMnO3薄膜在制备方法、电学、磁学等物理性质的研究进展.基于其电磁性质,阐述了该薄膜在自旋阀等器件方面的潜在应用.最后指出了六方YMnO3薄膜研究中存在的问题,提出解决的思路.     

碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响

通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。     

正轴6H-SiC 衬底上3C-SiC薄膜的低压化学气相沉积生长

活性的O-和OH-被认为在苯酚形成过程中起了重要作用．通过低压化学气相沉积，在正轴6H-SiC(0001)衬底上沉积了3C-SiC薄膜，X射线衍射表明薄膜结晶质量良好．研究了生长参数对生长速率的影响，发现硅烷及其分解产物的输运是薄膜生长的限定因素．用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌．这些结果表明薄膜的生长符合S-K方式．     

表面光电压谱及其检测技术实验

利用锁相放大器、单色仪、Xe灯光源等搭建了表面光电压谱检测仪.基于表面光电压谱技术的原理,并借助场诱导表面光电压谱测定了半导体材料的光伏响应、导电类型、能带隙和表面电荷分布.     

硅基片上异质外延SiC的机理研究

本文利用低压高温MOCVD系统 ,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜 ,并对其反应机理做了一些初步的研究。大部分观点认为 ,SiC/Si的异质外延 ,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散。但是 ,本文通过在不同流量比的条件下 ,SiC薄膜在Si基片以及Al2 O3 基片上外延的比较 ,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散 ,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散。同时 ,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制。当SiH4流量增加时 ,反应速率会明显加快 ,但是结晶质量会相对变差。