溶剂热合成法制备的Zn1-xMnxO和Zn1-2xMnxLixO纳米材料的磁学性质

用溶剂热合成法在160oC制备出Zn_1-xMn_xO纳米棒和Zn_1-2xMn_xLi_xO纳米颗粒. XRD和拉曼测试结果表明Mn离子已很好地掺入ZnO母体中. M-H图中未观察到磁回滞,ESR谱中的精细结构说明掺杂的Mn离子间没有铁磁相互作用. 共掺Li仅仅改变了产物的形貌,并不能改变其磁学性质.     

低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

在一定压力的Ar气氛中对Si（111）衬底上的PS／OCS（硅的有机化合物）凝胶叠层进行热处理，制备出单晶4H-Sic薄膜。用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响。XPS分析显示薄膜中C／Si比为1．09。SEM分析表明薄膜的表面平整，SiC／Si（111）界面清晰、无层错缺陷形成。进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理。     

热蒸发法制备ZnO纳米棒阵列

氩气氛常压下，利用热蒸发法，在无催化剂、无ZnO预沉积层的硅衬底上制备了取向良好，排列整齐的ZnO纳米棒阵列．在距Zn源不同位置的Si衬底上得到了不同形貌的样品．硅衬底置于锌源正上方是得到取向一致的ZnO纳米阵列的一个关键性条件．用场发射扫描电子显微镜、X射线粉末衍射表征样品表面形貌、晶体结构．进一步研究了样品的生长机制和荧光性质．     

多铁材料MnSb2O6中自旋涨落的ESR研究

具有手性晶体结构的MnSb₂O₆其基态为螺旋磁序,对外磁场有着响应丰富的铁电性.本文通过助熔剂法制备了高质量MnSb₂O₆单晶.电子自旋共振谱(ESR)的结果表明其共振场具有类似铁磁材料的各向异性温度依赖关系.这一结果表明MnSb₂O₆基态的螺旋磁序在外磁场中形成了随磁场方向转动的圆锥磁序相(conical phase).对共振峰半高宽的进一步拟合得到一个意外小的临界指数,这表明MnSb₂O₆中的磁矩具有二维特征并且存在着较强的竞争相互作用.     

Growth Kinetics of Silicon Carbide Film Prepared by HeatingPolystyrene/Si(111)

在不同的温度下热处理用sol-gel法制的PS/Si(111)叠层凝胶膜制备出了SiC薄膜．用XRD、SEM、XPS、FTIR等分析方法研究了SiC薄膜的结构、组成和表面形貌等．根据FTIR光谱计算了不同温度下得到的SiC薄膜的厚度,并研究了PS/Si(111)热解法生长SiC薄膜的生长动力学．结果表明,随着生长温度的增加,SiC薄膜生长速率变化趋势为：1200～1250 oC生长速率增加缓慢是2D生长机制,1250～1270 oC生长速率快速增加是3D生长机制,1270～1300 oC生长速率为负增长是由于SiC薄膜生长与Si和C原子的挥发共同作用所致．由速率变化求得各段表观生长激活能分别是122.5、522.5、-127.5 J/mol．     

Growth and Chemical Thermodynamics Analysis of SiC Film on Si Substrate by Heating Polystyrene/Silica Bilayer Method

采用改进的PS/OCS/Si(111)叠层热解法,在石英高温管式炉中,常压流通Ar气氛下,于1300 o C制备出了无层错空洞缺陷的晶态SiC薄膜．采用红外、X射线衍射和扫描电镜等分析方法对薄膜样品进行了表征．并研究了这种方法制备SiC薄膜的化学热力学过程．通过对反应平衡常数和吉布斯自由能的计算,初步确定了生成SiC的主反应的发生顺序以及反应体系的平衡状态,并论证了流通的Ar气氛对于反应的持续进行是必须的．该方法制备的薄膜为SiO2/SiC/Si(111)结构,这种结构对于半导体MOS器件的应用是非常有利的．该SiO2层形成反应后期降温阶段,并且可以通过RCA清洗工艺(标准半导体清洗工艺)彻底清除．目前还没有发现用这种方法生长SiC薄膜的报道．