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C(膜)/Si(SiO2 )(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料- C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理.用TEM、 SEM、 XRD和XPS对其进行了形态结构分析.TEM观察表明: Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30 nm左右.SEM观察表明: 夹层膜样品总厚度约为50 μm,膜表面比较平整、致密.400℃退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构; 650℃退火后,样品表面最平整、致密且颗粒均匀.XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si组成,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下, SiO2和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化: 400℃时, C的还原作用占主导地位, SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高; 400~650℃时,氧化作用占主导地位, Si又被氧化成SiO2, Si含量降低, SiO2含量逐渐上升,在650℃达到最高.XPS分析表明: 在加热过程中, C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)微粒层,在650℃与Si反应生成了新的SiC. 相似文献
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C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用直流辉光溅射+真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料-C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)夹层膜,并对其进行了退火处理,用TEM,SEM,XRD和XPS对其进行了形态结构分析,TEM观察表明:Si(SiO2)纳米微粒基本呈球形,粒径在30nm左右,SEM观察表明:夹层膜样品总厚度约为50um ,膜表面比较平整,致密,400度退火后,样品表面变得凹凸不平,出现孔状结构;650度退火后,样品表面最平整,致密且颗粒均匀,XRD分析表明:制备出的夹层膜主要由SiO2和Si 组成,在C原子的还原作用和氧气的化作用的共同作用下,SiO2和Si含量随加热温度的升高而呈现交替变化;400度时,C的还原作用占主导地位,SiO2几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高;400-650度时,氧化作用占主导地位,Si又被氧化成SiO2,Si 含量降低,SiO含量逐渐上升,在650度达到最高,XS分析表明:在加热过程中,C原子逐渐扩散进入Si(SiO2)_微粒层,在650度与Si反应生成了新的SiC。 相似文献
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CoFe2O4纳米粒子的共振散射光谱研究 总被引:9,自引:0,他引:9
液相纳米粒子CoFe2O4在400,470,510,800和940nm产生五个共振散射峰。它是一种非线性光散射介质。当激发波长为330nm时,CoFe2O4纳米粒子分别在于330,660和990nm产生一个共振散射峰、一个1/2频散射峰和一个1/3分频散射峰;当激发波长为800nm时,在800nm产生一个共振散射峰,而在400nm产生一个较该共振散射峰更强的2倍频散射峰。分频散射和倍频散射与共振散射有相似的散射行为。根据建立的灰白粒子体系共振散射光谱原理定性解析了CoFe2O4纳米粒子体系的共振散射光谱。 相似文献
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