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1.
用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si 之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。  相似文献   
2.
近年来,随着对宽禁带半导体材料,氧化锌薄膜研究的快速发展,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用,并对初步测量结果作简要的讨论。  相似文献   
3.
采用高真空电子束蒸发的方法将镍 (Ni)淀积在 4H SiC(0 0 0 1)面上 ,制备出良好的Ni/4H SiC肖特基接触 .研究了Ni/4H SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I -V特性 ,并以热电子发射理论为基础 ,结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算 ,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系 ,和温度成反比关系 ,与实验结果基本符合  相似文献   
4.
用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度△,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC/SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.  相似文献   
5.
分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 ,但反向特性明显优于他们的  相似文献   
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