排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
通过X射线光电子能谱和低能电子衍射实验研究了10~180 eV的Ar+、 He+、S+离子轰击n-InP(100)表面, 发现S+离子轰击可以产生In-S组分,减轻离子轰击对表面的物理损伤.对于Ar+离子轰击后的表面,经过S+离子处理和加热过程以后,表面损伤得到了修复,最终得到了2×2的InP表面,进一步验证了S+离子对InP表面的修复作用. 相似文献
3.
通过X射线光电子能谱和低能电子衍射实验研究了10~180 eV的Ar+、 He+、S+离子轰击n-InP(100)表面, 发现S+离子轰击可以产生In-S组分,减轻离子轰击对表面的物理损伤.对于Ar+离子轰击后的表面,经过S+离子处理和加热过程以后,表面损伤得到了修复,最终得到了2×2的InP表面,进一步验证了S+离子对InP表面的修复作用. 相似文献
4.
In situ angle dispersive synchrotron X-ray diffraction and Raman scattering measurements under pressure are em- ployed to study the structural evolution of Cu4Bi4S9 nanoribbons, which are fabricated by using a facile solvothermal method. Both experiments show that a structural phase transition occurs near 14.5 GPa, and there is a pressure-induced re- versible amorphization at about 25.6 GPa. The electrical transport property of a single Cu4Bi4S9 nanoribbon under different pressures is also investigated. 相似文献
5.
1