直接进样电热蒸发-原子荧光光谱法快速测定蒸馏酒中镉

为了快速低成本测定蒸馏酒中痕量重金属镉,利用钨丝电热蒸发器作为直接进样装置,与原子荧光光谱仪原子化器直接连接,构建了用于蒸馏酒中镉测定的直接进样原子荧光光谱检测系统(W-coil ETV-AFS),并对工作气体的气氛和流速、灰化和蒸发电压、样品承载量等参数进行了优化,建立了蒸馏酒中镉的直接进样快速检测方法。在最优条件下,Cd的检出限(LOD)为0.06μg/L(进样量为50μL),在0.5~100μg/L线性范围内回归系数(R²)为0.997;在5μg/L水平下,9个典型蒸馏酒样品的加标回收率在86.0%~116%,相对标准偏差RSD≤8.0%(n=3)。可以直接导入样品,无需复杂的前处理过程,具有良好的灵敏度、准确度和精密度,非常适合蒸馏酒中痕量镉的快速测定。     

抛光表面的亚表层损伤检测方法研究

光学元件磨削加工引入的亚表面损伤威胁着光学元件的使用性能及寿命,成为现阶段高能激光发展的瓶颈问题,特别是抛光表面光学元件的亚表面损伤检测已成为光学元件制造行业的研究热点和难点.本文结合光学共聚焦成像、层析技术、显微光学、光学散射以及微弱信号处理等技术,给出了基于光学共焦层析显微成像的光学元件亚表面损伤检测方法.分析了不同针孔大小对测量准确度的影响,并首次给出了亚表面损伤的纵向截面分布图.与腐蚀法比较结果显示:针对自行加工的同一片K9玻璃,采用本文提出的方法测得的亚表面损伤深度45 μm左右;采用化学腐蚀处理技术,对光学元件逐层刻蚀,观察得到的亚表面损伤深度50~55 μm.两者基本一致,进一步验证了本文采用的方法可以实现对光学元件亚表面损伤的定量、非破坏检测.     

直接进样钨丝电热蒸发-原子荧光光谱法快速测定蒸馏酒中镉

为了快速低成本测定蒸馏酒中痕量重金属镉,利用钨丝电热蒸发器作为直接进样装置,与原子荧光光谱仪原子化器直接连接,构建了用于蒸馏酒中镉测定的直接进样原子荧光光谱检测系统(W-coil ETV-AFS),并对工作气体的气氛和流速、灰化和蒸发电压、样品承载量等参数进行了优化,建立了蒸馏酒中镉的直接进样快速检测方法.在最优条件下...     

电磁脉冲弹对相控阵雷达毁伤能力的仿真研究

在建立电磁脉冲弹和相控阵雷达天线阵面弹目关系数学模型的基础上,对电磁脉冲弹使用过程中涉及到的天线阵面覆盖率等问题进行了研究,分析了弹道偏差等因素对天线阵面毁伤区域的影响,并进行了仿真计算。仿真结果分析表明,弹头引爆高度、落点精度等弹道参数对毁伤覆盖区域均会产生影响。为实现对目标的最佳毁伤效果,应综合考虑弹头引爆高度、弹道倾角、滚转角等参数精度,以及目标处功率密度等要求。     

横向剪切干涉中剪切量的选取及分析

 横向剪切干涉技术是一种直接测量波面相位分布的光学测量方法,由于其不需要高精度的参考平面,并且能够测量偏离量较大的表面面形偏差,因此得到了更为广泛的应用。但是,通常情况下剪切量大小的选择凭工作经验来确定。为了给出一种定量的剪切量判定方法,论文提出了一种基于Zernike多项式拟合的剪切量判定方法,通过计算机仿真和实验给出了剪切量与测量误差的关系,发现剪切量为测量口径1/10时即可达到良好的测量结果。