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1.
制备了一系列CrOx-Y2O3催化剂用于气相氟化1,1,1-三氟-2-氯乙烷(HCFC-133a)合成1,1,1,2-四氟乙烷(HFC-134a), 并考察了Y(OH)3、YCl3和Y(NO3)3前躯体对催化剂性能的影响. XRD和UV-Vis光谱实验结果表明, Y前躯体对催化剂表面Cr物种有影响, 其中采用Y(OH)3前躯体的催化剂有利于以高分散的Cr6+形式存在. 研究表明CrOx-Y2O3催化剂在预处理和反应过程中, 部分高价CrOx可转化为CrF3. 催化剂中CrF3含量增加, 导致其转化为活性物种的含量相对减少, 所以其催化活性下降.  相似文献   
2.
采用溶胶-凝胶法制备了Ce1-xTbxO2-δ复合氧化物,利用不同Raman激发波长(514和785 nm),结合X射线衍射(XRD)、氢气-程序升温还原(H2-TPR)和氧气-程序升温脱附(O2-TPD)表征,考察了Ce1-xTbxO2-δ复合氧化物在O2,He和H2气氛下氧缺位的原位变化情况和CeO2的F2g特征Raman峰位的偏移. 实验结果表明,随着Tb掺杂量的提高,由于晶胞收缩使得CeO2的F2g特征Raman振动峰发生蓝移. 514 nm Raman激发波长反映了催化剂的表面信息,而785 nm激发波长反映了整体信息. 正是由于表面和整体变化的不一致,造成原位Raman实验过程中氧缺位浓度变化趋势的不同. 在He和H2气氛下,由于温度升高时伴随着Ce1-xTbxO2-δ中O2气的脱出,使复合氧化物的微观结构发生改变,以致Ce0.9Tb0.1O2-δ中的氧缺位浓度(A587/A465)在785 nm激发波长下出现先升高后下降的现象.  相似文献   
3.
制备了一系列CrOx-Y2O3催化剂用于气相氟化1,1,1-三氟-2-氯乙烷(HCFC-133a)合成1,1,1,2-四氟乙烷(HFC-134a),并考察了Y(OH)3、YCl3和Y(NO3)3前躯体对催化剂性能的影响.XRD和UV-Vis光谱实验结果表明,Y前躯体对催化剂表而Cr物种有影响,其中采用Y(OH)3前躯体的催化剂有利于以高分散的Cr6+形式存在.研究表明CrOx-Y2O3催化剂在预处理和反应过程中,部分高价CrOx可转化为CrF3.催化剂中CrF3含量增加,导致其转化为活性物种的含量相对减少,所以其催化活性下降.  相似文献   
4.
采用溶胶-凝胶法制备了Ce1-xTbxO2-δ复合氧化物, 利用不同Raman激发波长(514和785 nm), 结合X射线衍射(XRD)、氢气-程序升温还原(H2-TPR)和氧气-程序升温脱附(O2-TPD)表征, 考察了Ce1-xTbxO2-δ复合氧化物在O2, He和H2气氛下氧缺位的原位变化情况和CeO2的F2g特征Raman峰位的偏移. 实验结果表明, 随着Tb掺杂量的提高, 由于晶胞收缩使得CeO2的F2g特征Raman振动峰发生蓝移. 514 nm Raman激发波长反映了催化剂的表面信息, 而785 nm激发波长反映了整体信息. 正是由于表面和整体变化的不一致, 造成原位Raman实验过程中氧缺位浓度变化趋势的不同. 在He和H2气氛下, 由于温度升高时伴随着Ce1-xTbxO2-δ中O2气的脱出, 使复合氧化物的微观结构发生改变, 以致Ce0.9Tb0.1O2-δ中的氧缺位浓度(A587/A465)在785 nm激发波长下出现先升高后下降的现象.  相似文献   
5.
利用沉积沉淀法制备出了La改性Al2O3催化剂,研究不同焙烧温度对La改性Al2O3催化剂用于乙炔气相氢氟化合成氟乙烯反应性能的影响.利用NH3-TPD、Pyridine-FTIR、XRD和Raman等技术对不同温度焙烧的催化剂进行表征,发现焙烧过程能改变催化剂结构的同时也能调变催化剂表面的酸量.经400 °C焙烧的催化剂显示出最高的乙炔转化率(94.6%)、最高的氟乙烯选择性(83.4%)和较低的积炭选择性(0.72%).催化剂的高活性与其表面的高酸量有关,同时积炭的选择性也与其表面的酸中心数量有关.  相似文献   
6.
用沉积-沉淀法制备了CrOx-Y2O3催化剂, 考察焙烧气氛及温度对1,1,1-三氟-2-氯乙烷(HCFC-133a)气相氟化合成1,1,1,2-四氟乙烷(HFC-134a)催化性能的影响. 采用拉曼光谱、X射线粉末衍射(XRD)等表征手段观察了催化剂中铬物种价态的变化情况. 结果表明, 先氮气后空气中不同温度(T)焙烧的催化剂(NAT), 随着空气中焙烧温度的升高, Cr物种由CrO3向YCrO4、YCrO3转变. 500 ℃焙烧的NA500催化剂虽然活性低于直接在空气中350 ℃焙烧的催化剂(A350), 然而前者的反应稳定性明显高于后者. 这归因于YCrO4物种在氟化过程中生成的活性物种既不易流失并且表面不容易结炭.  相似文献   
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