CuCl2-FeCl3-H2SO4石墨插层化合物的结构特征

"采用水热法在150 ℃合成出了CuCl2-FeCl3-H2SO4的石墨插层化合物．通过X射线衍射、EDX、高分辨透射电子显微术分析了该石墨插层化合物的结构和成分．分析表明,CuCl2-FeCl3-H2SO4已经成功地插入到石墨的片层之间．测量了从5 K到300 K的磁化率随温度变化曲线,发现在低温时,该石墨插层化合物存在两个反铁磁转变,转变温度分别为50和100 K．"     

电子束诱导沉积纳米线的电阻与场发射特性

"运用电子束诱导沉积技术在钨针尖表面沉积钨纳米线．在透射电子显微镜中,原位测量单根纳米线的电阻与场发射特性,并观察其显微结构变化．样品台为特制的电性能测试样品台,包括步进电机和压电陶瓷驱动的装置．导电铜片作为与纳米线相对的另一极．自行设计制作锁相放大器电路测量纳米线的电阻．结果表明,纳米线的电阻为0.1*10-3 -m量级．纳米线头部的几何缺陷将影响其场发射特性．纳安级电流将改变纳米线头部的几何结构与微观结构．场发射开启电压比结构变化前低11 V左右．"