液相外延制备InGaAsP/InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论

本文对InGaAsP/InP(DC-PBH)激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究,提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方(Br_2/HBr),对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺,同时探索了利用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,在研究基础上制造了重现性好且性能良好的1.3μm激光二极管,室温时,阈值电流最低小于25mA,典型值为30mA,在60mA直流电流的驱动下,光输出功率高达12.5mW.     

ZnTeMOCVD过程中金属有机源双甲基锌和双异丁基碲热裂…

利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒ＾ｉ２Ｔｅ城反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒ＾ｉ２Ｔｅ及其混合物Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果，并进行了分析讨论，导出了可能发生的气相反应及热裂解机理。     

ZnS-CdS核壳纳米微晶的制备与光学特性

采用微乳液法制备了核壳结构ZnS／CdS纳米微晶。以XRD、TEM表征其结构、粒度和形貌，UV、PL表征其光学性能。制得的纳米微晶近似呈球形，粒径4～5nm。研究了不同CdS壳层厚度的ZnS／CdS纳米微晶的光学性能，PL谱表明壳层CdS的修饰可减少ZnS的表面缺陷，表面态发射和非辐射跃迁减少，带边直接复合发光的几率增大，发光效率大大提高；在壳层CdS达到一定厚度时，PL谱却表现为CdS的特征发射，同时发现核心ZnS对壳层CdS的发光具有增强作用，提出了ZnS／CdS发光机理的能带模型。     

聚合物在纳米微粒制备中的应用

概述了近年来聚合物在纳米微粒制备中的应用，分析了应用极性高分子作为纳米微粒分散介质的可行性，讨论了用络合转换方法制备纳米微粒的普适性。     

Hg~1~-~xCd~xTe平衡蒸汽压的热力学研究

Hg~1~-~xCd~xTe熔体组元平衡蒸汽分压是晶体制备中必须考虑的重要热力学参数, 文献报道中数据差别很大, 影响对该材料进一步研究。本文根据光吸收原理, 系统测定x=0-0.4的Hg~1~-~xCd~xTe系熔体平衡汞和碲分压, 运用热力学关系计算镉分压, 讨论p~H~g-x关系, 并将所得结果与文献报道数据进行比较与分析。     

甲壳胺膜中MS(M=Cd,Zn)半导体纳米微粒形成机理的探讨

采用红外光谱（ＩＲ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对甲壳胺中纳米微晶生长过程进行了监测,并对测试结果进行了分析与讨论,提出甲壳胺膜中ＭＳ（Ｍ＝Ｃｄ,Ｚｎ）半导体纳米微晶可能的生长机制。同时还利用ＡＦＭ对甲壳胺中纳米微晶的形貌和尺度进行了测定。     

用络合转化法在甲壳胺膜上制备CdS、ZnS纳米微粒

结构单元上带有配位基团的天然高分子甲壳胺与Cd2+和Zn2+络合后,通过络合转化方法可以在高分子膜上制备CdS、ZnS等纳米微粒。用这种方法所得微粒尺寸可控、粒径均一、表面缺陷少。     

ZnTe MOCVD过程中金属有机源双甲基锌和双异丁基碲热裂解研究

利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ在反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ及其混合物在Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果，并进行了分析讨论，导出了可能发生的气相反应及热裂解机理。此外还探讨了Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ共裂解行为对ＺｎＴｅ外延生长的影响。     

金刚石膜/多孔硅复合材料的性能表征

提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术,即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积（MPCVD）方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光 谱仪和荧光分光度计对多孔硅及金刚石膜的表面形貌、结构和发光特性进行了表征。结果表明采用微波等离子体化学气相沉积法可在多孔硅基片上形成均匀、致密、性能稳定且对可见光具有全透性的金刚石膜。金刚石膜与多孔硅的复合,大大稳定了多孔硅的发光波长和强度,同时增强了多孔硅的机械强度。     

MOCVD过程中金属有机源(C~3H~7)~2Te和(CH~3)~2Cd热裂解机理 质谱实时研究

采用质谱技术实时研究了金属有机源DIPTe和DMCd在MOCVD反应器中热裂解的性质。着重分析了可能发生的气相反应及热裂解机理,并探讨了在CdTe,HgCdTe实际生长条件下两个有机源之间可能发生的相互作用及其对热裂解温度的影响。