具有双网络结构高强度和形状记忆水凝胶

本文将形状记忆功能引入到双网络水凝胶设计之中.首先合成了聚乙二醇-聚丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵/聚（丙烯酰胺-co-丙烯酸）（PEG-PDAC/P（AAm-co-AAc））双网络水凝胶,其中第一套网络由交联的聚乙二醇（PEG）链组成,包埋着聚电解质聚丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵（PDAC）;第二套网络由丙烯酰胺（AAm）和丙烯酸（AAc）的共聚物交联组成,交联剂为N,N''-亚甲基双丙烯酰胺（MBAA）.结果表明,双网络水凝胶显示出高强度的特点,其断裂应力和韧性分别达到了0.9 MPa和3.8 MJ/m³.和传统地利用中性高分子作为柔软和韧性的第二套网络相比较,本文选择将具有弱电解质特性的丙烯酸单体引入到第二套网络中,利用丙烯酸与三价铁离子的络合作用,成功地赋予水凝胶在氧化环氧反应条件下的形状记忆功能.结果表明,只要巧妙地引入响应性单体,高强度和形状记忆这两种最重要的特性可以同时被引入到双网络水凝胶的设计之中.     

团簇研究的新进展──第七届国际小颗粒与无机团簇仁义介绍

团簇研究的新进展──第七届国际小颗粒与无机团簇仁义介绍团簇是介于原子、分子与大块材料之间的一种物质状态，与纳米材料和微粒并严格的概念上的界限，只是传统意义上的研究侧重面不一样。此领域国际上最重要的会议当属国际小颗粒与无机团簇会议（Ｉｎｔｅ－ｒｎａｔｉ...     

注入离子漂移管技术测量原子团簇结构

团簇结构测量是团簇科学研究中的一个重要课题。文章对近几年发展的注入离子漂移管技术进行了详细介绍与分析，该技术是上前测量团簇结构近似程度最高的技术，已在Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ及Ａｌ等原子团簇的结构研究中获得广泛应用，并取得了许多重要结果。     

C60与聚乙烯咔唑（PVK）键合物和共混物在紫外激光作用下的碳笼增强融合

用飞行时间质谱测量３０８ｎｍ激光熔蚀Ｃ６０化学修饰的聚乙烯咔唑（Ｃ６０－ＰＶＫ）与Ｃ６０／聚乙烯咔唑共混物（Ｃ６０／ＰＶＫ）的产物分布，分析了正负离子质谱，发现明显的碳笼融合现象。比较分析了融合过程的增强机理，认为Ｃ６０与ＰＶＫ间的化学键合以及电荷转移络合分别在Ｃ６０－ＰＶＫ键合物和Ｃ６０／ＰＶＫ共混物的富勒烯融合过程中起了重要作用。     

油水两相流水包油流型多尺度排列熵分析

采用多尺度排列熵算法研究了垂直油水两相流水包油流型的多尺度动力学特性.首先,在内径为20 mm的垂直管道内采集了油水两相流水包油流型电导传感器波动信号,然后计算了不同流动工况下电导波动信号的多尺度排列熵值.研究发现多尺度排列熵率与均值可定量刻画水包油流型动力学复杂性;此外,提出了通过增量时间序列累积量与多尺度排列熵率联合分布识别三种不同水包油流型的新途径.     

草金鱼C型起动流场的PIV测量

鱼类的C型快速起动常常用于逃脱危险的过程中,是鱼类最重要的机动能力之一。本文利用二维粒子图像测速(Particle Image Velocity,PIV)技术对草金鱼C型起动过程中的鱼体周围流场进行了测量和分析。结果表明,在第三阶段为减速静止的情况下,第二阶段的加速过程很短,而第一阶段的加速更为明显,第一阶段与第二阶段的时长比为1:5.25;草金鱼的C型起动过程主要依赖附加质量效应产生推力。C型起动的尾迹流场具有逆卡门涡街的特征,较大的身体弯曲度使得鱼在舒展摆尾的过程中连续产生了方向相同的两个涡,而且涡在脱离鱼体后由于受到鱼后续行为和高速射流区的影响,其强度经历了先增大再降低的过程。     

电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定石灰石中5种氧化物含量

建立了电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定石灰石样品中5种氧化物氧化镁(MgO)、三氧化二铁(Fe_2O_3)、二氧化硅(SiO_2)、氧化锰(MnO)、三氧化二铝(Al2O3)含量的方法。先将样品与无水碳酸钠和四硼酸钠高温熔融后,再用盐酸进行消解可以很好地溶解石灰石样品。选择Mg285.21nm、Fe 238.20nm、Si 251.61nm、Mn 257.61nm、Al 396.15nm为分析谱线,采用空白校正的方法校正基体的影响。在选定的实验条件下,各元素标准曲线的线性相关系数均不小于0.999,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=6)在1.8%～2.4%,各测定元素的加标回收率也在94%～105%。按照实验方法将各元素测定结果与5种国家标准测定方法得出的结果进行比对,准确度、精密度、回收率均在理想范围内。结果表明,所建立的方法可以满足石灰石中5种元素联测的要求,并且更加快速、准确。     

分散良好的二氧化锡纳米团簇制备以及离子液体诱导金属绝缘相变调控研究

本文利用气相纳米团簇设备实现SnO_2纳米团簇的可控制备.高分辨透射电子显微镜用来分析SnO_2纳米团簇形貌及微观结构,结果表明制备的SnO_2纳米团簇分散良好,尺寸均匀(5～7 nm).通过门电压控制的离子液体实现对SnO_2纳米团簇金属绝缘转变的调控.结合第一性原理,从氧空位诱导电子占据角度系统分析了相应的调控机制.     

Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates

Crystal morphologies and resistivity of polysilicon trap-rich layers of two-generation trap-rich silicon-on-insulator(TR-SOI) substrates are studied. It is found that the resistivity of the trap-rich layer of generation 2(TR-G2)is higher than that of generation 1(TR-G1), although the crystal morphologies of the trap rich layers are the same. In addition, the rf performance of two-generation TR-SOI substrates is investigated by coplanar waveguide lines and inductors. The results show that both the rf loss and the second harmonic distortion of TR-G2 are smaller than those of TR-G1. These results can be attributed to the higher resistivity values of both the trap-rich layer and the high-resistivity silicon(HR-Si) substrate of TR-G2. Moreover, the rf performance of the TR-SOI substrate with thicker buried oxide is slightly better. The second harmonics of various TR-SOI substrates are simulated and evaluated with the harmonic quality factor model as well. It can be predicted that the TR-SOI substrate will see further improvement in rf performance if the resistivities of both the trap-rich layer and HR-Si substrate increase.