YBa_2Pb_xCu_(3-x)O_y的临界电流特性

本文系统地研究了 Y Ba_2Pb_xCu_(3-x)O_y(0≤x≤0.4)高温超导体的正常态电阻率,交流磁化率,临界温度和临界电流密度等参量之间的关系.结果表明,在0≤x≤0.4范围内,样品的 T_c只有很小的变化,而电阻率和临界电流密度则随 x 发生显著的变化.特别是当 x=0.1时,样品的电阻率最小而相应的临界电流密度最大,在液氮温度下 J_c 为单相 Y Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的三倍多.作者还发现样品内界面层对临界电流的影响比超导相所占比例更大.作者应用McMillan 理论和 Ambegaokar-Baratoff 理论结果分析了实验数据.     

Ba-La-Cu-O体系的金属-半导体转变和超导电性

测量了名义组分为 BaxLa_(5-x)Cu_5O_(5(3-y))(x=0,0.25,0.5,1.0,1.25,1.5; y>0)的系列样品电阻-温度关系。发现:对x=0的二元氧化物,其电子输运呈典型的半导体特征;随着Ba的掺入以及含Ba量的增加,系统经历了半导体-半金属-金属(超导体)转变,并且其超导临界温度Tc也单调地升高。根据Mattheiss及Freeman等人的能带计算结果,在电声子强耦合的框架里对上述现象作了定性的解释。本文作者认为:二价Ba的掺入抑制了晶格的不稳定性,稳定了超导相。     

层状耦合约瑟夫森双结中的孤子解

基于Sakai-Bodin-Petersen理论,我们求解了对称的双约瑟夫森结的耦合非线性方程组.结果表明,线性化方程组的同相和反相解所对应的两种磁通运动模式也存在于原始的非线性方程组的解中,同时非线性方程组独有的位相锁定的扭折(kinks)形式的磁通运动在低能情况下会演化为孤子解.     

Nd2-xSrxCoO4 (x=1.25,1.33,1.60)体系的物理性质研究

用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4 ( x = 1.25, 1.33, 1.60) 多晶.X射线衍射结果表明样品没有杂项,且都是四方层状K2NiF4结构[1].电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为.对于x= 1.25和1.33的样品,热电势为正值;而对于x= 1.60的样品,热电势在60K发生了由正到负的转变.所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值,在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂,表明在低温下样品存在类自旋玻璃态.我们同时测量了x = 1.25样品在110 K到300 K温区的电子自旋共振谱,发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争,强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化.     

MgB2混合态热导率的反常增强

测量了MgB2多晶样品的混合态热导率,磁场强度为0-7 T,温度范围为5-45 K.实验结果显示MgB2热导率在低场下迅速上升,高场下趋于饱和,这与MgB2的二能隙电子结构有关.对实验结果的分析指出,低温强场下MgB2多晶样品热导率的显著增强无法完全用电子热导来解释,并对此进行了讨论.     

电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶的赝能隙行为研究

测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型 关键词： 电子型超导体 热电势 赝能隙     

CdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的涨落电导

测量了高质量的GdBa_2Cu_3O_(7-x)薄膜的电阻及磁阻曲线,应用Lawrence-Doniach理论对实验曲线进行了拟合,得到了一组自洽且合理的参数值,由ln(σ—σ_(?))-Int曲线可以明显地看到存在一个二维向三维的转变。     

固体^3He中的核磁有序和固体^4He中的超流动态

固体＾３Ｈｅ在１ｍＫ附近发生核磁有序，本文介绍了它的磁相图，物理性质和理论模型。固体＾４Ｈｅ中有可能存在像液体＾４Ｈｅ和液体＾３Ｈｅ中出现的超流动态，对理论预言和实验上的探索进行了评述。     

Pb0.50Sr0.75Y0.70Ca0.25Cu1.70Oy单晶的磁阻研究

对低掺杂区非超导的Pb_(6.56)Sr_(?)Y_(?)Ca_(?)Cu_(?)O_y单晶样品进行了电阻和磁阻的测量,发现在低温下电阻温度关系遵从变程跳跃传导的R=R_(?)exp[(T_(?)/T)~(?)]的变化规律,这说明该样品处于强局域化区域.在低温下的磁阻为负并有明显的各向异性,这表明这类体系的磁阻主要来自于轨道效应的贡献,并且可能受到自旋-轨道散射的影响. 关键词：     

高纯度超导氧化物RuSr2GdCu2O8的合成与超导电性

RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30－40K的超导体，其合成的主要问题是，在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成，本文报道了合成RuSr2GdCu2O8（Ru-1212相）纯相的新方法，即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6(Ru-211相）先驱物，然后Sr2GcRuO6与CuO高温烧结，生成RuSr2GdCu2O8。合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为，该体系的超导转变与生成的杂相有关。