Excellent Passivation of p-Type Si Surface by Sol-Gel Al2O3 Films

Al2O3 films with a thickness of about lOOnm synthesized by spin coating and thermally treated are applied for field-induced surface passivation of p-type crystalline silicon. The level of surface passivation is determined by techniques based on photoconductance. An effective surface recombination velocity below lOOcm/s is obtained on 10Ωcm p-type c-Si wafers （Cz Si）. A high density of negative fixed charges in the order of 10^12 cm^-2 is detected in the Al2O3 films and its impact on the level of surface passivation is demonstrated experimentally. Furthermore, a comparison between the surface passivation achieved for thermal SiO2 and plasma enhanced chemical vapor deposition SiNx ：H films on the same c-Si is presented. The high negative fixed charge density explains the excellent passivation of p-type c-S/by Al2O3.     

权力结构影响下考虑预售的双渠道供应链决策研究

针对存在预售且通过网络与传统渠道销售的现实状况,基于消费者剩余理论和博弈论,构建不同权力结构下的双渠道供应链博弈模型:制造商主导的Stackelberg、权力对等的Vertical Nash和零售商主导的Stackelberg。比较三种权力结构下各成员最优策略及绩效,分析关键因素的敏感性,检验模型的鲁棒性。研究发现:三种博弈下各权力主体的最优策略及绩效均受渠道替代程度、单位生产成本等关键因素影响。渠道替代程度越高,制定的双渠道价格越高;消费者对价格更敏感,预售市场需求呈现向现售市场转移的趋势。     

压强对低频PECVD制备SiNx:H薄膜特性的影响

氢化氮化硅薄膜在晶体硅太阳电池工艺中是一种有效的减反射、钝化薄膜．利用Centrotherm公司的直接法低频PECVD设备在抛光后的p型硅衬底(1.0 Ωcm)表面制作氢化氮化硅,得到了具有较好钝化效果且折射率为2.017～2.082的薄膜．随着压强的增加,薄膜的折射率略有增加．利用傅里叶变换红外光谱技术研究了薄膜中成键结构特性随压强的变化．结果表明沉积压强强烈的影响了H键的浓度和Si-N键的浓度．其中硅的悬挂键浓度是影响薄膜钝化特性的关键因素．最后给出了样品有效少子寿命随时间的衰减特性,并利用成键结构对钝化的影响给出了这种衰减的原因.     

利用不同阴极缓冲层来改善Pentacene/C60太阳能电池的性能

制备了结构为ITO/Pentacene/C₆₀/Al的双层光伏电池器件,在C₆₀/Al界面插入了常用的缓冲层材料bathocuproine(BCP)作为阴极缓冲层,通过优化BCP层的厚度来提高电池的性能并研究了阴极缓冲层的作用机理.实验发现,BCP厚度为10 nm时器件的效率最高,为0.46%.在此基础上,利用bathophenanthroline(Bphen)和3,4,9,10-Perylenetetracarb-oxylicdianhydride(PTCDA 关键词： 有机太阳能电池 Pentacene 60')" href="#">C₆₀ 缓冲层     

氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究

热氧化生长的SiO\-2 薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn 结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区 关键词： 热氧化 随机织构 位错 太阳电池     

沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiNx:H薄膜特性的影响

利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiN_x:H薄膜, 研究沉积温度对SiN_x:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表明: SiN_x:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231之间, 这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si－H键和N－H键浓度呈现减小趋势, 而Si－N键浓度逐渐升高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiN_x:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果. 采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.     

单晶硅表面均匀小尺寸金字塔制备及其特性研究

表面织构是一种通过有效的光俘获增加短路电流从而提高太阳电池效率的主要途径之一.在加入间隙式超声和NaClO添加剂的碱性四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中对单晶硅表面进行织构化处理,研究超声与NaClO在织构过程中对金字塔成核和生长的影响,以及金字塔大小对高温工艺之后的单晶硅少子寿命的影响.研究表明,通过在织构溶液中加入间隙式超声控制气泡停留在硅片表面的时间和脱离硅片表面速度,增强了小尺寸金字塔的均匀分布.织构之后硅片在AM1.5G光谱下的加权平均反射率能够达到12.4%,在高温扩散和氧化之后少子寿命的大小与金字塔大小之间存在近似于指数衰减函数的关系. 关键词： 表面织构化 反射率 少子寿命 单晶硅太阳电池