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1.
介绍了一个荧光光谱方面新的实验项目:以苝和六苯基噻咯作为发光物质的特征分子,通过测定其不同聚集状态下的荧光光谱,观察聚集荧光淬灭ACQ(aggregation-causedquenching)和聚集诱导发光AIE(aggregationinduced emission)两种不同的发光现象;利用晶体学数据库CCDC (Cambridge Crystallographic Data Centre)检索特征分子的晶体结构,从分子晶体结构层面分析AIE和ACQ发光现象产生的原因,在此基础上探讨不同发光机制和分子状态的关系。论文详细描述了实验的设计思想、实验内容和实验结论,并结合教学过程,分析了该实验在开阔学生视野、提高认知水平及培养科研素养等方面所取得的教学效果。  相似文献   
2.
层状稀土氢氧化物是一类新型的稀土功能材料,本文采用固体核磁共振(SSNMR)方法研究了同时具备离子交换能力和非线性光学特性的层状La(OH)2NO3化合物,探讨了通过四极核CPMG(QCPMG)脉冲序列和变频谱图采集获取超宽139La SSNMR谱图的方法,并描述了适用于此类实验的滤波方程和谱图重建方法.重建谱图同时包含四极核中心跃迁和卫星跃迁信息,本文使用QUEST软件对超宽139La NMR谱图进行了模拟,获取的四极耦合常数CQ和非对称因子ηQ均与CASTEP密度泛函理论计算值高度吻合.SSNMR实验结果证实层状La(OH)2NO3化合物属于非中心对称结构(P21),解决了对其结构长期以来存在的争论.  相似文献   
3.
方忠慧  江小帆  陈坤基  王越飞  李伟  徐骏 《中国物理 B》2015,24(1):17305-017305
Si-rich silicon nitride films are prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition method,followed by thermal annealing to form the Si nanocrystals(Si-NCs)embedded in Si Nx floating gate MOS structures.The capacitance–voltage(C–V),current–voltage(I–V),and admittance–voltage(G–V)measurements are used to investigate the charging characteristics.It is found that the maximum flat band voltage shift(△VFB)due to full charged holes(~6.2 V)is much larger than that due to full charged electrons(~1 V).The charging displacement current peaks of electrons and holes can be also observed by the I–V measurements,respectively.From the G–V measurements we find that the hole injection is influenced by the oxide hole traps which are located near the Si O2/Si-substrate interface.Combining the results of C–V and G–V measurements,we find that the hole charging of the Si-NCs occurs via a two-step tunneling mechanism.The evolution of G–V peak originated from oxide traps exhibits the process of hole injection into these defects and transferring to the Si-NCs.  相似文献   
4.
近年来三角形折叠类问题频频出现,成为中考命题的高频热点.这类问题涉及知识面广,往往与相似、函数、方程等知识融为一体,主要考查学生的逻辑思维能力和空间想象能力.解决这类问题的关键是要抓住折叠前后图形的对称关系,灵活运用轴对称的性质.本文以近几年中考题为例,归纳其类型与解法,供参考.  相似文献   
5.
2011年是浙江省绍兴市全面推广浙教版课标教材后的第三次自主命题,试题在突出能力立意的基础上,创新的氛围更加浓郁,富有鲜明的时代气息.本文就近三年的浙江省绍兴市中考数学试题的特色进行分析,并得到一些启示.  相似文献   
6.
利用3个具有不同的同位旋和动量相关性的热力学模型研究了非对称核物质的热力学性质, 它们是重离子碰撞中同位旋弥散数据约束下的、 同位旋和动量相关的MDI模型, 完全动量无关的MID模型, 以及同位旋标量动量相关的extended MDYI(eMDYI)模型。 主要研究了同位旋非对称热核物质的对称能和系统力、 化学不稳定性以及液气相变的温度效应。 MDI模型对称能的温度效应来源于动能和势能两部分贡献, 而MID和eMDYI模型只有势能部分对对称能的温度效应有贡献。 研究结果还表明, 力学不稳定性区域、 化学不稳定性区域和液气共存区都依赖于模型的同位旋和动量相关性, 以及对称能的密度依赖关系。In this article, three models with different isospin and momentum dependence are used to study the thermodynamical properties of asymmetric nuclear matter. They are isospin and momentum dependent MDI interaction constrained by the isospin diffusion data of heavy ion collision, the momentum independent MID interaction and the isoscalar momentum dependent eMDYI interaction. Temperature effects of symmetry energy, mechanical and chemical instability and liquid gas phase transition are analyzed. It is found that for MDI model the temperature effects of the symmetry energy attribute from both the kinetic and potential energy, while only potential part contributes to the decreasing of the symmetry energy for MID and eMDYI models. We also find that the mechanical instability, chemical instability and liquid gas phase transition are all sensitive to the isospin and momentum dependence and the density dependence of the symmetry energy.  相似文献   
7.
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上. 关键词: 氮化硅 多层膜 限制结晶 纳米晶硅  相似文献   
8.
Highly hydrogen-diluted silane plasma is used to fabricate microcrystalline silicon films in a plasma-enhanced chemical vapour deposition system. X-ray diffraction and micro-Raman scattering spectroscopy are utilized to characterize their microstructure properties. Dark conductivity and drift mobility are measured by the travelling wave method. With the decreasing gas flow ratio of silane-to-hydrogen from 2% to 0.2%, the crystalline volume fraction and the drift mobility increase at room temperature. Meanwhile, the dark conductivity increases initially and then decreases. The relationship between the microstructures and transport properties is discussed.  相似文献   
9.
在不同的核物质对称能下利用约束的Skyrme-Hartree-Fock-Bogolyubov计算得到了形变核的核子分布,基于此计算了RHIC能量下形变核碰撞产生的自由旁观者核子数及中质子产额比,并分析了中子皮和碰撞几何构型的影响。本工作发现,相比于其他碰撞构型,长椭球核的头对头碰撞和扁椭球核的腰对腰碰撞产生的自由旁观者核子数最少。旁观者中质子产额比敏感于中子皮的平均厚度,因此是对称能的良好探针,但不同碰撞几何构型所得到的产额比依赖于中子皮的极化角分布。在某些碰撞体系中,碰撞几何构型的效应大约为对称能效应的50%。由于238U和96Zr的特殊形变中子皮,相对于其他碰撞构型,旁观者中质子产额比对对称能的敏感性在头对头的238U+238U碰撞和腰对腰的96Zr+96Zr碰撞得到了增强。此研究可能开启新的研究方向,即通过筛选高能形变核碰撞的几何构型来研究形变的中子皮分布。  相似文献   
10.
纳米Si/SiO2多层膜的结构表征及发光特性   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。  相似文献   
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