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1.
采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.  相似文献   
2.
徐国亮  袁伟  耿振铎  刘培  张琳  张现周  刘玉芳 《物理学报》2013,62(7):73104-073104
蒽(anthracene)具有良好的热稳定性以及较高的荧光量子产率的优点, 是最早用于研究有机发光器件(organic light-emitting device, OLED)的材料之一. 在本文中, 主要利用量子化学方法研究了不同外电场对蒽分子激发特性的影响规律. 首先采用密度泛函理论(density functional theory, DFT)在6-311G(d, p)基组水平上对蒽分子基态结构进行优化, 基于稳定基态结构, 利用含时密度泛函(time-dependent density functional theory, TDDFT)以及同一基组水平, 计算出蒽分子的前十个激发态的激发能、跃迁偶极矩、振子强度和紫外吸收光谱等数据. 然后以密度泛函B3P86方法优化出的不同外电场下蒽分子基态结构为基础, 使用TDDFT方法研究了不同外电场对蒽分子前线轨道能级和激发特性的影响规律. 结果显示, 无场时蒽分子在紫外区域234.50 nm处有一个较强的吸收峰, 对应基态电子跃迁至第5激发态吸收光子波长; 在外电场作用下, 蒽分子电子由基态跃迁到激发态的各项光谱参数均有显著变化, 加场后蒽分子的吸收光谱发生了红移, 由紫外波段移向了紫外–可见光波段, 与实验值相符合. 分子前线轨道的计算结果也表明蒽分子的最高占据轨道(highest occupied molecular orbital, HOMO)和最低未占据轨道(lowest unoccupied molecular orbital, LUMO)能量差值在不同电场下存在差异. 关键词: 蒽 外电场 激发特性  相似文献   
3.
姚东永  徐国亮  刘雪峰  张现周  刘玉芳 《中国物理 B》2011,20(10):103101-103101
The structure of the Si3Ox (x=2, 3) cluster is investigated; we find that the geometry of Si3O2 is similar to that of Si3O3 except for the oxygen-deficient defect structure (Si-Si band) which exists only in the Si3O2 cluster. It is known that oxygen-deficient defects are used to explain visible luminescence (especially blue, purple and ultraviolet light) from silicon-based materials, which are directly bound up with the excited states of the molecules. Therefore the excitation properties of the two clusters are also studied. Our results show that the absorption spectrum of Si3O2 is concentrated in the visible light region. In contrast, the absorption spectrum of Si3O3 is mainly located in the ultraviolet light region. The calculations are perfectly consistent with experimental data and also support the theory of oxygen-deficient defects.  相似文献   
4.
采用包含色散力校正的密度泛函理论方法(DFT-D)研究了O2在Si掺杂石墨烯(Si-Gra)上吸附与活化.研究结果表明:1)与纯净石墨烯相比,Si掺杂极大的增强了石墨烯对O2的吸附能力.O2的最稳定吸附构型是以Side-on模式吸附在掺杂的Si的顶位,形成O-Si-O三元环.次稳定吸附构型是与Si及近邻的一个C形成O-Si-C-O四元环结构.两个吸附构型对应的吸附能分别为-2.40和-1.93eV;2)O2有两种分解路径:直接分解路径(势垒为0.53eV)和整体扩散后的分解路径(势垒为0.81eV);3)分解之后的两个O原子分别吸附在Si的顶位和相邻碳环的两个碳原子的桥位;4)电子结构分析表明吸附的O2从Si-Gra获得较多电荷,从而被活化.总之,Si-Gra具有较强的催化氧气还原能力,是一种潜在的良好的非金属氧还原催化剂.  相似文献   
5.
可压缩横流失稳及其控制   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐国亮  符松 《力学进展》2012,42(3):262-273
边界层流动转捩的预测与控制一直是流体力学研究中的一个重要问题. 三维边界层流动工程中十分常见, 而横流失稳是导致三维边界层流动转捩的主要原因. 本文综述了近些年来三维边界层失稳和转捩方面的研究概况. 从机理上讨论了横流扰动的感受性、首次失稳、二次失稳和转捩控制等方面的研究进展. 在数值计算方面, 简要概述了线性稳定性理论、非线性稳定性理论和直接数值模拟方法在横流失稳和转捩方面的应用.本文对横流失稳研究当前存在的问题进行了讨论, 对今后研究的发展趋势作了相应展望.  相似文献   
6.
采用杂化CIS-DFT方法研究了外电场对乙烯分子基态和激发态性质的影响,结果表明外电场对分子几何结构,总能量,偶极矩,极化率,振子强度和激发能有显著影响。CIS-DFT的优点在于它能确定外场下分子的对称性并且给出正确的激发顺序以及分子轨道的电子组态,由此导出乙烯分子的激发态,计算结果与实验一致。首次研究了乙烯分子的外电场效应。与其他从头算方法相比,杂化CIS-DFT方法计算精度和效率相对较高,可用于研究大分子体系。  相似文献   
7.
采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6 311++G(d,p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极 场(-0.04~0.04a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下 用同样的基组采用杂化CIS DFT方法(CIS B3P86)研究了同样外电场条件下对二甲基硅酮的激发能和振子强度 的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小和方向呈现强烈的依赖,正向电场下基态偶极矩随电场强度线 性增加,分子总能量降低,当反向电场大于0.03a.u.时,偶极距方向改变,总能量增加;激发能随电场增加急剧减 小,且对电场方向的依赖呈现出不对称性,满足Grozema关系.电场对振子强度的影响比较复杂,但仍满足跃迁选 择定则.  相似文献   
8.
碳分子线基态特性理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
从第一原理出发,利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn(n=3~10)的电子结构特性.对优化结果分析发现,由于离域效应的作用,当n为奇数时,分子线基态为单重态,反之,当n为偶数时,三重态为其稳定的基态.对其电子结构分析可得,随着n的增加,体系能量逐渐降低;同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量EH、最低未占据轨道LUMO能量EL与n的关系式,即EHn-2<EHn<EHn+2,ELn-2>ELn>ELn+2.因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性.该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性,设计出良好性能的分子器件.  相似文献   
9.
简要介绍了铁氧体吸波材料,手性材料,金属微粉吸波材料,导电高聚物材料,多晶铁纤维材料,纳米材料和智能隐身材料的研究和应用现状。并根据吸波材料工作原理,进行碳团簇型吸波材料实验研究,结果显示,所制样品有很好的吸波性能,在总厚度为2.11mm的情况下,在8.2~12.4GHz频带内,最大反射衰减可达-29dB,有效频宽占总带宽的100%,基本达到实用水平。  相似文献   
10.
平面环状碳团簇是一种特殊的大分子, 计算表明其转动能级变化的谱线富集于1-20 GHz的微波区. 利用该特性制得了碳团簇型微波隐身材料. 测试结果表明, 对于双层材料, 最小反射率达-31 dB, 有效频带宽度为2.3 GHz, 同时, 将该材料长时间处于自然条件下, 其吸波性能稳定.  相似文献   
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