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利用新近合成的聚酰亚胺LB膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺LB膜进行扫描探测,发现相应的LB膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的LB膜可以提高较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而LB膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。
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利用新近合成的聚酰亚胺LB膜定向铁电液晶分子,通过原子力显微镜对经不同亚胺化温度处理的聚酰亚胺LB膜进行扫描探测,发现相应的LB膜具有不同的形貌结构,认为高温亚胺化的LB膜可以提供较高的势垒,这为铁电液晶双稳记忆性的出现提供了可能,而LB膜的超薄特性有利于开关过程中表面聚积电荷的中和与释放,保证了器件优良的双稳记忆性的最终获得以及微秒量级快速响应的实现。
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