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1.
2.
钛酸钾晶须通常是直径和长度在微米量级的无机晶须 ,可用K2 O·nTiO2 表示其组成 ,n =1,2 ,4 ,6 ,8,[1] .六钛酸钾晶须具有耐高温、耐腐蚀、纤维拉伸强度高、导热系数小、红外反射率高 ,硬度低的特点 .在民用及工业方面有很多应用 .如催化剂载体、离子吸附交换材料、高温过滤器、绝热材料、耐摩擦材料等[2~ 5] .钛酸钾纳米线的合成尚未见报道 .我们在用电弧产生的N2 等离子体热解焦油时 ,生成了一种直径 9~ 2 0nm长约几百纳米线 .X射线能谱定量分析表明这种纳米线化学组成为K2 Ti8O15,是一种新的非化学计量化合物 .试验装…  相似文献   
3.
以液态金属镓为媒介,利用热蒸发法合成大量非晶SiOx纳米管,这些纳米管管径均匀分布,平均约80 nm,长度大于10μm,且管内外径比例较小.分析发现,在实验过程中,熔入金属镓液滴中的硅元素和氧元素结合并从液滴的表面饱和析出,形成以镓为中心的非晶SiOx纳米管状结构.在室温中,利用260 nm的激发光源激发SiOx纳米管,发现在蓝光波段附近发出强而稳定的PL谱线,这可能与样品中的氧缺陷和空位有关.  相似文献   
4.
The as-deposited and annealed Ge-Au film and Ge-Au/Au bilayer films have been observed by transmission electron microscopy. The bilayer with a composition of Ge-5at%Au film is amorphous, while the Ge-22at%Au film is polycrystalline. Higher concentration of Au raises the structural heterogeneity and instability. Fractals can be observed in the Ge-5at%Au/Au bilayer samples annealed at 60-100℃. The difference of the fractal patterns generated from Ge-Au/An and a-Ge/Au films call be attributed to the higher heterogeneity and instability in Ge-Au/An bilayers.  相似文献   
5.
The Ta/Si multilayers on (100) Si substrate have been studied over the annealing temper-ature range from 500 to 900℃ by X-ray diffraction and cross-section transmission electron microscopy. The periodicity of the multilayers becomes worse with increasing annealing tem-perature and disappears at 750℃. At 600℃, two kinds of modulation wavelength coexist because the size of several TaSi2 grains is larger than the contracted original modulation wavelength. The films are contracted after annealing. The largest contraction, at least 40nm decreasing in thickness, occurs at 600℃. When the annealing temperature is lower than 600℃, h-TaSi2 grains grow randomly and the growth is not affected by the substrate. At temperatures higher than 750℃, h-TaSi2 grows preferentially in [001] direction parallel to [100] axis of Si substrate. The appearance of texture depends on whether the atomic diffusion is short range or long range at the corresponding annealing temperature.  相似文献   
6.
The cathode deposit produced by carbon are discharge wae studied by scanning electron microscopy, high resolution electroa microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The results indicate that the stacking of hexagonal carbon layer in the discharged graphite is different from the ABAB stacking sequence in graphite, and that carboy nanotube is a kind of graphite-like micro-crystal with a low-dimensional structure.  相似文献   
7.
研究了用射频磁控溅射方法制备的[Co(1.5nm)/V(dV)]20(0.5nm≤dV≤4nm)多层膜的结构和磁性.用X射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析,表明它们层状周期结构良好,沿膜的生长方向具有fcc Co(111)和bcc V(110)织构,且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜.界面一定程度的合金化,使其成为成分调制周期结构,也是它们的一个结构特征.由其铁磁共振谱计算得到较小的g因子和4πMe 关键词:  相似文献   
8.
张庶元  李方华 《物理》2011,40(6):398-401
在中国电子显微学领域,吴自勤教授是一位勤奋工作、求实进取、成绩卓著而深受同行敬重的学者.在他临近八十华诞之际,我们撰写这篇贺文,希望能弘扬他为电子显微学和中国电镜事业的发展所做出的贡献.  相似文献   
9.
第七届全国凝聚态理论和统计物理会议在合肥举行第七届全国凝聚态理论和统计物理会议于1993年10月25日至29日在合肥中国科学技术大学举行。来自全国54所高等院校、科研机构的代表143人出席了会议。代表们为会议提供了论文142篇,其中大会报告14篇,分...  相似文献   
10.
采用SiCl4、CCl4和金属K体系 ,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅 (SiC)单晶材料 .通过X射线粉末衍射 (XRD)、Raman光谱和透射电子显微镜 (TEM)对产物进行了表征 .其中XRD数据显示所得产物为碳化硅 .TEM结果表明 ,采用不同剂量的金属K ,所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶 .SiC单晶丝直径为 10~2 0nm ,长度可达 1.5 μm ;SiC晶片的横向尺寸为 0 .1~ 3μm ,具有规则多面体外形 ,显示阶梯状生长侧面 .此外 ,对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论 ,研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影响 .  相似文献   
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