钪和钇二价离子跃迁几率和振子强度的理论计算

利用最弱受约束电子势模型理论计算了二价钪离了和二价钇离子的能级间跃迁几率和振子强度的数值．二价钪离子的计算结果与美国国家标准技术研究院（NIST）所给出的可接受值吻合良好二价钇离子的计算结果也与现有的其他理论方法的计算结果十分接近．     

二价硅离子高于3s3p态能级间自旋允许跃迁的理论计算

在最弱受约束电子势模型理论中，电子被分成最弱受约束电子和非最弱受约束电子，而假定最弱受约束电子在核和非最弱受约束电子形成的势场中运动，这样许多多电子体系的问题可以简化成最弱受约束电子的单电子问题来解决．最弱受约束电子势模型理论已经被成功地应用于跃迁几率，振子强度和原子能级的计算．应用一组方程计算了Si III的离子自旋允许跃迁的跃迁几率，计算结果与标准值比较是相当令人满意的，误差均在15%以下．而且表明最弱受约束电子势模型理论可以非常简便并准确地应用于计算高激发态间的跃迁几率．     

最弱受约束电子势模型理论下使用双广义拉盖尔多项式计算氦原子基态能量

计算了在最弱受约束电子势模型理论下使用双广义拉盖尔多项式的氦原子基态能量. 给出了氦原子基态能量期望值的表达式. 通过搜索它的极小, 找到了氦原子基态能量的极小值. 将我们的结果与双灼(zeta)函数的Hartree-Fock(HF)方法的结果进行比较后发现, 我们的结果略优于双灼(zeta)函数的Hartree-Fock(HF)方法的结果. 如此表明线性组合技术可以应用在最弱受约束电子势模型理论中.     

Theoretical Calculations of Transition Probabilities and Oscillator Strengths for Sc(III) and Y(III)

利用最弱受约束电子势模型理论计算了二价钪离子和二价钇离子的能级间跃迁几率和振子强度的数值. 二价钪离子的计算结果与美国国家标准技术研究院(NIST)所给出的可接受值吻合良好. 二价钇离子的计算结果也与现有的其他理论方法的计算结果十分接近.